STP130NS04ZB是意法半導體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用了先進的MDmesh技�,具有低導通電阻和高效率的特點,廣泛適用于開關電源、電機驅�、DC-DC轉換器等應用領域�
這款MOSFET的主要特點是其較低的導通電阻(Rds(on)�,能夠在高頻工作條件下減少功率損耗,并且具備良好的熱�(wěn)定性和可靠��
最大漏源電壓:40V
最大漏極電流:130A
導通電阻(Rds(on)):2.5mΩ
柵極電荷�65nC
總電容(Ciss):3800pF
結溫范圍�-55℃至175�
STP130NS04ZB采用MDmesh IV技術制造,能夠顯著降低導通電阻的同時保持較高的擊穿電��
其低柵極電荷設計有助于提升開關性能,減少開關損��
該器件還具備快速恢復二極管功能,使其在高頻開關應用中表�(xiàn)�(yōu)異�
此外,STP130NS04ZB具有較強的雪崩能�,確保在異常情況下也能安全工��
該產(chǎn)品封裝形式為TO-247,適合大功率應用場景�
STP130NS04ZB主要應用于工�(yè)及消費電子領�,例如高效能開關電源(SMPS�、太陽能逆變�、不間斷電源(UPS�、電動工�、電機驅動以及電動汽車中的各種電��
它特別適合需要處理大電流和高頻工作的場合,比如同步整�、負載切換和電池管理系統(tǒng)等應��
由于其出色的散熱特性和可靠性,該MOSFET也常用于高功率密度的設計��
IRFP2907, FDP18N40