GA1210A181GBEAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載切換等�(yīng)用。該芯片采用先�(jìn)的溝槽式 MOSFET 技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,能夠顯著提高系統(tǒng)效率并降低功��
這款器件支持高頻率操�,并在高溫環(huán)境下仍能保持�(wěn)定的性能表現(xiàn),廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制及通信�(shè)備領(lǐng)域�
類型:N-Channel MOSFET
額定電壓�120V
額定電流�35A
�(dǎo)通電阻:1.8mΩ(典型�,@Vgs=10V�
柵極電荷�45nC
反向恢復(fù)�(shí)間:9ns
封裝形式:TO-247
GA1210A181GBEAR31G 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻確保了在高電流�(yīng)用中的高效性能,減少發(fā)熱問��
2. 快速的開關(guān)速度使得其適用于高頻電路�(shè)�(jì),從而減小磁性元件體積,�(yōu)化整體方案尺��
3. 高雪崩能量能力提高了系統(tǒng)的可靠性,在異常條件下可以承受更大的瞬�(tài)電流沖擊�
4. �(nèi)置防靜電保護(hù)�(jī)制,增強(qiáng)了產(chǎn)品的耐用性和使用壽命�
5. 支持表面貼裝和通孔安裝兩種方式,方便不同應(yīng)用場景下的靈活使��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足全球市場的準(zhǔn)入要��
GA1210A181GBEAR31G 可以用于多種電力電子�(yīng)用中,包括但不限于:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�,例如降�、升壓或升降壓拓?fù)�?br> 3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的逆變橋臂組件�
4. 汽車電子中的�(fù)載切換和保護(hù)功能模塊�
5. 太陽能微逆變器以及其他可再生能源相關(guān)的功率變換設(shè)��
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的繼電器替代方案或高速電磁閥�(qū)�(dòng)��
IRFP250N, STP12NM60, FDP5800