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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > STGF10NC60KD

STGF10NC60KD 發(fā)布時間 時間�2023/6/12 10:50:37 查看 閱讀�903

�(chǎn)品種�: IGBT 晶體�

目錄

概述

制造商:STMicroelectronics

�(chǎn)品種類:IGBT 晶體�

封裝 / 箱體:TO-220FP

集電極—發(fā)射極最大電� VCEO�600 V

集電極—射極擊穿電壓:600 V

集電極—射極飽和電壓:2 V

柵極/�(fā)射極最大電壓:20 V

集電極最大連續(xù)電流 Ic�9 A

柵極—射極漏泄電流:100 nA

功率耗散�25 W

封裝:Tube

配置:Single

資料

廠商
STMICROELECTRONICS

stgf10nc60kd推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

stgf10nc60kd資料 更多>

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stgf10nc60kd�(chǎn)�

stgf10nc60kd參數(shù)

  • 其它有關(guān)文件STGF10NC60KD View All Specifications
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列PowerMESH™
  • IGBT 類型-
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)600V
  • Vge, Ic時的最大Vce(開�2.5V @ 15V�5A
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)9A
  • 功率 - 最�25W
  • 輸入類型�(biāo)�(zhǔn)�
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3 整包
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220FP
  • 包裝管件
  • 其它名稱497-5114-5