VND5E025AK 是一� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件具有低導通電�、高開關速度和出色的熱穩(wěn)定�,適用于各種功率轉換應用。它通常用于電源管理、電機驅(qū)動、負載開關等領域�
這款 MOSFET 的封裝形式為 TO-252 (DPAK),能夠提供高效的功率處理能力,同時保持較小的尺寸以適應緊湊的設計需��
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�16A
導通電阻:1.8mΩ
柵極電荷�27nC
開關時間:典型� 13ns(開啟)�29ns(關閉)
工作結溫范圍�-55� � +175�
VND5E025AK 具有以下顯著特點�
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導損耗并提高效率�
2. 高速開關性能,使得其非常適合高頻應用�
3. 小型 DPAK 封裝,便� PCB 布局�(yōu)��
4. 良好的熱�(wěn)定性,保證了在高溫�(huán)境下的可靠運��
5. 較高的雪崩耐量,增強了器件的魯棒��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適合�(xiàn)代設計要��
VND5E025AK 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中的同步整流器�
2. DC-DC 轉換器中的功率開��
3. 電機�(qū)動電路中的功率級元件�
4. 各種負載開關應用�
5. 電池保護及管理系�(tǒng)中的電子保險絲功��
6. 逆變器和其他功率變換設備的核心組件�
VNQ025AEP, IRFZ44N, FDP020N06L