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STD5NM60T4 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 10:58:49 查看 閱讀�22

STD5NM60T4是STMicroelectronics(意法半導體)生�(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝,適用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動和負載開關(guān)等應(yīng)�。它具有低導通電�、高擊穿電壓和快速開�(guān)速度的特�,能夠有效地降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  這款MOSFET的額定擊穿電壓為600V,連續(xù)漏極電流可達5A(在特定條件下),并且具有較低的柵極電荷和輸出電�,有助于提升高頻開關(guān)性能。此�,STD5NM60T4符合RoHS標準,確保其�(huán)保特��

參數(shù)

最大擊穿電壓:600V
  最大漏源電壓:600V
  最大連續(xù)漏極電流�5A
  最大柵源電壓:±20V
  導通電阻(典型�,在Vgs=10V時)�1.3Ω
  柵極電荷(Qg):30nC
  輸入電容(Ciss):800pF
  總功耗:14W
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

1. 高擊穿電壓,支持高達600V的應(yīng)用環(huán)��
  2. 低導通電�,有助于減少導通損耗�
  3. 快速開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)��
  4. 小型TO-220封裝,便于安裝和散熱�(shè)計�
  5. 寬工作溫度范�,適�(yīng)多種惡劣�(huán)��
  6. 符合RoHS標準,綠色環(huán)��

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電機�(qū)�
  4. 負載開關(guān)
  5. 電池保護電路
  6. 逆變器和UPS系統(tǒng)
  7. 工業(yè)控制�(shè)�
  8. 消費類電子產(chǎn)品中的電源管理模�

替代型號

STD5NM60T4L, IRFZ44N, STP5NK60Z

std5nm60t4推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

std5nm60t4資料 更多>

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std5nm60t4參數(shù)

  • 其它有關(guān)文件STD5NM60 View All Specifications
  • 標準包裝1
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列MDmesh™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1 歐姆 @ 2.5A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs18nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds400pF @ 25V
  • 功率 - 最�96W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D-Pak
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱497-3163-6