STD5NM60T4是STMicroelectronics(意法半導體)生�(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝,適用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動和負載開關(guān)等應(yīng)�。它具有低導通電�、高擊穿電壓和快速開�(guān)速度的特�,能夠有效地降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
這款MOSFET的額定擊穿電壓為600V,連續(xù)漏極電流可達5A(在特定條件下),并且具有較低的柵極電荷和輸出電�,有助于提升高頻開關(guān)性能。此�,STD5NM60T4符合RoHS標準,確保其�(huán)保特��
最大擊穿電壓:600V
最大漏源電壓:600V
最大連續(xù)漏極電流�5A
最大柵源電壓:±20V
導通電阻(典型�,在Vgs=10V時)�1.3Ω
柵極電荷(Qg):30nC
輸入電容(Ciss):800pF
總功耗:14W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
1. 高擊穿電壓,支持高達600V的應(yīng)用環(huán)��
2. 低導通電�,有助于減少導通損耗�
3. 快速開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)��
4. 小型TO-220封裝,便于安裝和散熱�(shè)計�
5. 寬工作溫度范�,適�(yīng)多種惡劣�(huán)��
6. 符合RoHS標準,綠色環(huán)��
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機�(qū)�
4. 負載開關(guān)
5. 電池保護電路
6. 逆變器和UPS系統(tǒng)
7. 工業(yè)控制�(shè)�
8. 消費類電子產(chǎn)品中的電源管理模�
STD5NM60T4L, IRFZ44N, STP5NK60Z