NTMFS4C810NT1G 是一� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,采� TO-263 (D2PAK) 封裝。該器件具有低導(dǎo)通電�、高電流處理能力和快速開�(guān)速度等特性,適用于多種功率轉(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)動應(yīng)��
該芯片由 ON Semiconductor 提供,主要面向工�(yè)和消�(fèi)類電子領(lǐng)�,廣泛用� DC/DC �(zhuǎn)換器、電源管理電�、負(fù)載開�(guān)以及電機(jī)控制等場景�
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�75A
�(dǎo)通電阻(典型值)�4.5mΩ
柵極電荷�49nC
總電容(輸入電容):1850pF
開關(guān)頻率范圍:最高支持至 500kHz
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-263 (D2PAK)
NTMFS4C810NT1G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率�
2. 高電流承載能�,適合大功率�(yīng)用�
3. 快速開�(guān)性能,降低開�(guān)損�,特別適合高頻電路設(shè)��
4. 具備出色的熱�(wěn)定�,能夠在極端溫度范圍�(nèi)可靠�(yùn)行�
5. 小尺寸封�,便� PCB 布局�(yōu)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子制造工��
這款功率 MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) � DC/DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)管�
2. 工業(yè)和消�(fèi)類電�(jī)�(qū)動電路中的功率級元件�
3. 大功率負(fù)載開�(guān),用于電池管理系�(tǒng)和其他需要高電流切換的應(yīng)用�
4. 各種逆變器設(shè)計中的關(guān)鍵功率元��
5. 可再生能源系�(tǒng)(如太陽能微逆變器)中的功率�(zhuǎn)換模��
其高效率和可靠性使其成為眾多功率密集型�(yīng)用的理想選擇�
NTMFS4C806NT1G, FDP5500, IRF3710