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STD25NF10T4 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/29 1:28:20 查看 閱讀:5

STD25NF10T4 是一款由 STMicroelectronics(意法半導(dǎo)體)生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用 TO-220AC 封裝,具有低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,適用于各種開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及負(fù)載切換等應(yīng)用領(lǐng)域。
  該 MOSFET 的最大漏源電壓為 100V,連續(xù)漏極電流可達(dá) 25A,非常適合中高功率應(yīng)用場合。同時(shí),其優(yōu)異的熱性能和電氣特性使得它在效率和可靠性方面表現(xiàn)突出。

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流:25A
  導(dǎo)通電阻(典型值):7.5mΩ
  柵極電荷(典型值):45nC
  總電容(輸入電容):1350pF
  工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +175℃
  封裝形式:TO-220AC

特性

STD25NF10T4 具備以下關(guān)鍵特性:
  1. 高電流承載能力:能夠支持高達(dá) 25A 的連續(xù)漏極電流,確保在大電流應(yīng)用中的穩(wěn)定性。
  2. 低導(dǎo)通電阻:僅為 7.5mΩ(典型值),降低了導(dǎo)通損耗,提升了系統(tǒng)效率。
  3. 快速開關(guān)性能:通過優(yōu)化的柵極電荷設(shè)計(jì),能夠?qū)崿F(xiàn)快速開關(guān)操作,從而減少開關(guān)損耗。
  4. 高穩(wěn)健性:具備較高的雪崩擊穿能力和抗靜電能力,能夠在惡劣環(huán)境下可靠運(yùn)行。
  5. 廣泛的工作溫度范圍:從 -55℃ 到 +175℃,滿足工業(yè)級(jí)和汽車級(jí)應(yīng)用需求。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn):環(huán)保且適合現(xiàn)代綠色電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)要求。

應(yīng)用

STD25NF10T4 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS):包括 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,提供高效的功率轉(zhuǎn)換。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):用于控制直流無刷電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)的啟動(dòng)、停止及速度調(diào)節(jié)。
  3. 逆變器:在光伏逆變器和其他類型的逆變器中作為功率開關(guān)元件。
  4. 電池保護(hù)電路:防止過充、過放以及短路等情況發(fā)生。
  5. 電信設(shè)備:如基站電源、不間斷電源(UPS)等對(duì)效率和可靠性要求較高的場景。
  6. 工業(yè)自動(dòng)化:例如伺服驅(qū)動(dòng)器、PLC 控制模塊中的功率管理部分。

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP25NF10L
  FDP5500
  IXFN25N10T
  AO3400

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std25nf10t4參數(shù)

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  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝1
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C25A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C38 毫歐 @ 12.5A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs55nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1550pF @ 25V
  • 功率 - 最大100W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝D-Pak
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱497-7962-6