CDR04BP272BJZPAT是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)等應(yīng)用領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),適合在高頻和大電流�(huán)境下工作�
這款功率MOSFET具有N溝道增強(qiáng)型結(jié)�(gòu),能夠提供出色的開關(guān)性能和較低的功�,從而有效提升系�(tǒng)的整體效率。其封裝形式通常為表面貼裝類�,方便�(jìn)行自�(dòng)化生�(chǎn)和散熱管��
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�18A
�(dǎo)通電阻:2.7mΩ
柵極電荷�35nC
開關(guān)�(shí)間:ton=12ns, toff=9ns
工作溫度范圍�-55℃至150�
1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on))設(shè)�(jì),可顯著降低功率損耗�
2. 高速開�(guān)性能,適用于高頻電路�(yīng)��
3. �(qiáng)大的雪崩耐量能力,確保在異常條件下仍能穩(wěn)定工作�
4. 小尺寸封�,支持高效的PCB布局和散熱管��
5. 具備出色的熱�(wěn)定性和可靠性,滿足工業(yè)級及汽車級應(yīng)用需��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子系�(tǒng)��
1. 開關(guān)電源適配器和充電器中的同步整��
2. 工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)控制與驅(qū)�(dòng)�
3. 汽車電子系統(tǒng)的負(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
4. 通信電源和不間斷電源(UPS)中的功率轉(zhuǎn)��
5. 大功率LED照明�(qū)�(dòng)電路�
6. 各類消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的高效功率管理模��
CDR04BP272BJZPBT, CDR04BP272AJZPAT