STB80NF55L-06 是一款由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)制造的N溝道功率MOSFET。該器件采用了先�(jìn)的MDmesh技�(shù),具備低�(dǎo)通電阻和高電流處理能力的特點(diǎn),適合應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)��
這款MOSFET的最大漏源電壓為55V,連續(xù)漏極電流可達(dá)80A,具有出色的熱性能和電氣性能,同�(shí)封裝形式為TO-220,便于散熱設(shè)�(jì)和安��
最大漏源電壓:55V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�80A
�(dǎo)通電阻(典型值)�4.5mΩ
總功耗:150W
�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
封裝形式:TO-220
STB80NF55L-06采用MDmesh DMIII技�(shù),實(shí)�(xiàn)了較低的�(dǎo)通電阻與良好的電荷平��
其具備較高的雪崩擊穿能力和魯棒�,能夠承受瞬�(tài)電壓沖擊�
此外,它擁有快速開�(guān)速度,有助于降低開關(guān)損耗并提升效率�
器件在高溫下的穩(wěn)定性良�,適合要求嚴(yán)格的工業(yè)�(yīng)用環(huán)境�
由于其低�(dǎo)通電阻和大電流承載能�,特別適合用作高效能功率�(zhuǎn)換電路中的開�(guān)元件�
STB80NF55L-06廣泛�(yīng)用于各種功率電子�(lǐng)�,例如:
開關(guān)模式電源(SMPS),包括AC-DC適配器和充電��
DC-DC�(zhuǎn)換器,用于汽車電子、通信�(shè)備及消費(fèi)類電子產(chǎn)品中�
電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)或保�(hù)電路�
電機(jī)�(qū)�(dòng)�,如步�(jìn)電機(jī)、無刷直流電�(jī)控制電路�
�(xù)流二極管功能,在反激式變換器或其他拓?fù)浣Y(jié)�(gòu)中替代傳�(tǒng)肖特基二極管�
STB80NF50L-06, IRF840, FDP18N50C