CSD16410Q5A 是一款由德州儀� (TI) 推出� N 溝道增強(qiáng)型硅 Carbide (SiC) �(chǎng)效應(yīng)晶體� (FET)。該器件采用了先�(jìn)� SiC 技�(shù),具有出色的�(kāi)�(guān)性能和高效率,適用于高頻、高壓和高溫�(yīng)用場(chǎng)�。其封裝形式� TO-247-4L,適合表面貼裝及功率密度要求較高的場(chǎng)��
CSD16410Q5A 的設(shè)�(jì)旨在替代傳統(tǒng)的硅� MOSFET,在降低功耗和提高系統(tǒng)效率方面表現(xiàn)�(yōu)�。它非常適合用于太陽(yáng)能逆變�、不間斷電源 (UPS)、電�(jī)�(qū)�(dòng)�、DC/DC �(zhuǎn)換器以及各類工業(yè)�(yīng)用中的功率轉(zhuǎn)換電路�
最大漏源電壓:1200V
連續(xù)漏極電流�8A
�(dǎo)通電阻:90mΩ
柵極電荷�45nC
�(kāi)�(guān)速度:高�
工作溫度范圍�-55� � +175�
CSD16410Q5A 具有以下顯著特性:
1. 高耐壓能力:其額定漏源電壓高達(dá) 1200V,能夠承受高電壓�(yīng)用環(huán)��
2. 低導(dǎo)通電阻:在同類產(chǎn)品中,CSD16410Q5A 的導(dǎo)通電阻僅� 90mΩ,從而減少了傳導(dǎo)損耗并提高了效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)性能:得益于 SiC 材料的獨(dú)特屬�,該器件具備非常低的柵極電荷 (45nC),支持高頻操��
4. 寬溫范圍:能夠在 -55� � +175� 的極端溫度條件下正常工作,適�(yīng)惡劣的工作環(huán)��
5. 熱穩(wěn)定性:由于 SiC 材料的高熱導(dǎo)率和化學(xué)�(wěn)定�,器件在高溫下的性能更加可靠�
6. 封裝�(yōu)�(shì):采� TO-247-4L 封裝,便于散熱并支持大功率應(yīng)用�
CSD16410Q5A 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 太陽(yáng)能逆變器:高效的功率轉(zhuǎn)換有助于提升光伏系統(tǒng)的整體效��
2. 不間斷電� (UPS):在高可靠� UPS 系統(tǒng)中提供穩(wěn)定的功率輸出�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器:支持高性能電機(jī)控制,尤其是在電�(dòng)汽車和工�(yè)自動(dòng)化領(lǐng)��
4. DC/DC �(zhuǎn)換器:用于電信設(shè)備、服�(wù)器和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)��
5. 工業(yè)電源:包括焊接設(shè)備、感�(yīng)加熱等對(duì)功率密度和效率要求高的場(chǎng)合�
CSD18502Q5B, CSD17502Q5B