STB75NF75LT4 是一款由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET功率晶體�。該器件采用Trench技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適合于要求高效能和快速切換的�(yīng)用場(chǎng)�。其封裝形式為TO-263(D2PAK�,能夠滿足散熱性能較高的應(yīng)用需��
STB75NF75LT4的耐壓值為75V,連續(xù)漏極電流高達(dá)75A,使其適用于各種工業(yè)、汽車及消費(fèi)類電子設(shè)備中的電源管理電路�
最大漏源電壓:75V
連續(xù)漏極電流�75A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.8mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
柵極電荷�89nC(典型值)
總功耗:260W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-263(D2PAK�
STB75NF75LT4具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高電流處理能力,可滿足大功率�(yīng)用的需��
3. 快速開�(guān)速度,降低了開關(guān)損�,從而提升整體效��
4. 出色的熱�(wěn)定�,能夠在較高溫度范圍�(nèi)正常工作�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(wú)鉛設(shè)�(jì)�
6. �(nèi)置反向二極管,增�(qiáng)了抗干擾能力�
這些特點(diǎn)使得STB75NF75LT4非常適合用于DC/DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)等應(yīng)用領(lǐng)��
STB75NF75LT4廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 工業(yè)�(shè)備中的大功率開關(guān)電源�
2. 汽車電子系統(tǒng)中的電機(jī)控制和負(fù)載驅(qū)�(dòng)�
3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源適配器和充電器�
4. 太陽(yáng)能逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)合�
由于其出色的電氣特性和可靠�,這款MOSFET成為許多高要求應(yīng)用場(chǎng)景的理想選擇�
STB80NF75LT4, IRFB7540PbF