SQD50P04-09L是一款N溝道MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和�(fù)載開�(guān)等場景。該器件采用PDFN33-8封裝,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,適合高效能要求的應(yīng)用環(huán)��
其設(shè)計目�(biāo)是提供高電流承載能力和低功耗特�,適用于消費電子、通信�(shè)備以及工�(yè)控制�(lǐng)��
型號:SQD50P04-09L
類型:N溝道MOSFET
封裝:PDFN33-8
最大漏源電�(Vds)�40V
最大柵源電�(Vgs):�8V
連續(xù)漏極電流(Id)�50A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4mΩ (典型�,在Vgs=10V�)
總功�(Ptot)�3.7W
工作溫度范圍(Ta)�-55°C � +150°C
存儲溫度范圍(Tstg)�-65°C � +175°C
SQD50P04-09L具備以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少功率損耗并提高效率�
2. 低電荷量(Qg),確保更快的開關(guān)速度,從而降低開�(guān)損��
3. 高雪崩擊穿能�,增強在異常條件下的耐用��
4. PDFN33-8封裝,體積小且散熱性能良好,非常適合空間受限的�(shè)計�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
6. 支持高頻操作,適�(yīng)�(xiàn)代電子系�(tǒng)對速度的需��
7. 良好的熱�(wěn)定性和電氣�(wěn)定性,能夠在惡劣環(huán)境下可靠工作�
該MOSFET適用于多種應(yīng)用場景:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流��
2. DC/DC�(zhuǎn)換器的核心開�(guān)元件�
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的�(fù)載開�(guān)�
4. 消費類電子產(chǎn)品如筆記本電腦適配器、智能手機充電器�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電機驅(qū)動電路�
6. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理模塊�
7. LED�(qū)動器及各類高效能電源解決方案�
SQD50N04L, FDP5800, IRF540N