GA1210Y564JBAAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特點,能夠顯著提高系統(tǒng)的效率和�(wěn)定�。此外,它還具備出色的熱性能和可靠�,適合在�(yán)苛環(huán)境下工作�
該型號屬于溝道增強型 MOSFET,通常用于高壓�(yīng)用場�,例如工�(yè)控制、汽車電子以及消費類電子�(chǎn)品中。其�(shè)計優(yōu)化了柵極�(qū)動特�,從而降低了開關(guān)損�,并支持高頻操作�
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電�(Vds)�1200V
最大柵源電�(Vgs):�20V
持續(xù)漏極電流(Id)�10A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�0.18Ω
功�(PD)�120W
�(jié)溫范�(Tj)�-55� � +175�
封裝形式:TO-247
GA1210Y564JBAAR31G 的主要特性包括:
- 高耐壓能力�1200V�,適用于多種高壓�(yīng)用場景�
- 極低的導(dǎo)通電阻(0.18Ω�,有助于降低�(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率�
- 快速開�(guān)速度,支持高頻工作環(huán)�,減少電磁干�(EMI)�
- �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,優(yōu)化了�(xù)流性能,尤其適合同步整流電路�
- 出色的熱性能,確保在高溫條件下仍能穩(wěn)定運行�
- 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子設(shè)備中�
這款功率 MOSFET 可應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
- 開關(guān)模式電源(SMPS),如 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
- 電機�(qū)動與控制,支持高效步�(jìn)電機或無刷直流電�(BLDC)�
- 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)和保��
- 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)中的功率管理�
- 汽車電子�(shè)�,如電動助力�(zhuǎn)�(EPS)、啟停系�(tǒng)和車載充電器(OBC)�
- 消費類電子產(chǎn)品中的適配器和充電器�(shè)��
GA1210Y564KBAAR31G, IRFP460, STP12NM60, FQA12N120