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GA1210Y564JBAAR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/24 11:40:20 查看 閱讀�16

GA1210Y564JBAAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特點,能夠顯著提高系統(tǒng)的效率和�(wěn)定�。此外,它還具備出色的熱性能和可靠�,適合在�(yán)苛環(huán)境下工作�
  該型號屬于溝道增強型 MOSFET,通常用于高壓�(yīng)用場�,例如工�(yè)控制、汽車電子以及消費類電子�(chǎn)品中。其�(shè)計優(yōu)化了柵極�(qū)動特�,從而降低了開關(guān)損�,并支持高頻操作�

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�1200V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  持續(xù)漏極電流(Id)�10A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�0.18Ω
  功�(PD)�120W
  �(jié)溫范�(Tj)�-55� � +175�
  封裝形式:TO-247

特�

GA1210Y564JBAAR31G 的主要特性包括:
  - 高耐壓能力�1200V�,適用于多種高壓�(yīng)用場景�
  - 極低的導(dǎo)通電阻(0.18Ω�,有助于降低�(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率�
  - 快速開�(guān)速度,支持高頻工作環(huán)�,減少電磁干�(EMI)�
  - �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,優(yōu)化了�(xù)流性能,尤其適合同步整流電路�
  - 出色的熱性能,確保在高溫條件下仍能穩(wěn)定運行�
  - 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子設(shè)備中�

�(yīng)�

這款功率 MOSFET 可應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  - 開關(guān)模式電源(SMPS),如 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  - 電機�(qū)動與控制,支持高效步�(jìn)電機或無刷直流電�(BLDC)�
  - 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)和保��
  - 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)中的功率管理�
  - 汽車電子�(shè)�,如電動助力�(zhuǎn)�(EPS)、啟停系�(tǒng)和車載充電器(OBC)�
  - 消費類電子產(chǎn)品中的適配器和充電器�(shè)��

替代型號

GA1210Y564KBAAR31G, IRFP460, STP12NM60, FQA12N120

ga1210y564jbaar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.56 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-