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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SQD15N06-42L_GE3

SQD15N06-42L_GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 17:12:55 查看 閱讀�26

SQD15N06-42L_GE3 是一款基� MOSFET 技�(shù)� N 溝道功率�(chǎng)效應(yīng)晶體� (Power MOSFET)。該型號(hào)由知名半�(dǎo)體制造商提供,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)器、DC-DC �(zhuǎn)換器以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等場(chǎng)�。其�(shè)�(jì)目標(biāo)是為中低電壓�(yīng)用提供高效的�(kāi)�(guān)性能和較低的�(dǎo)通電�,同�(shí)具備良好的熱特性和可靠��
  該器件采用了先�(jìn)的封裝技�(shù)以優(yōu)化散熱性能,并且符� RoHS �(biāo)�(zhǔn),適合環(huán)保要求嚴(yán)格的電子�(shè)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�15A
  �(dǎo)通電阻:4.2mΩ
  柵極電荷�19nC
  總功耗:27W
  工作�(jié)溫范圍:-55� to 175�
  封裝�(lèi)型:TO-220FP

特�

SQD15N06-42L_GE3 的主要特�(diǎn)包括以下幾點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),僅為 4.2mΩ,這顯著減少了傳導(dǎo)損耗,從而提高了整體效率�
  2. 高速開(kāi)�(guān)能力,得益于較小的柵極電荷(Qg=19nC),可實(shí)�(xiàn)快速的�(kāi)啟和�(guān)斷時(shí)��
  3. 提供了強(qiáng)大的電流處理能力,額定值高�(dá) 15A,使其適用于高功率密度的�(shè)�(jì)�
  4. 工作溫度范圍寬廣,從 -55� � +175�,確保在極端�(huán)境下依然能夠�(wěn)定運(yùn)��
  5. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的抗靜電能力,提高系統(tǒng)可靠��
  6. TO-220FP 封裝形式,具有出色的散熱性能,便于安裝和維護(hù)�

�(yīng)�

該元器件廣泛用于多種電力電子�(yīng)用領(lǐng)�,具體包括:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS) 中的功率�(zhuǎn)換級(jí),例如適配器、充電器��
  2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  3. 各種 DC-DC �(zhuǎn)換器,如降壓或升壓變換器�
  4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)隔離與功率控制部分�
  6. 可再生能源系�(tǒng)中的逆變器模�,例如太�(yáng)能光伏逆變器�

替代型號(hào)

SQD15N06-42L, IRFZ44N, FDP18N10, STP16NF06L

sqd15n06-42l_ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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sqd15n06-42l_ge3參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�830�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �8.19000剪切帶(CT�2,000 : �3.47085卷帶(TR�
  • 系列TrenchFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET �(lèi)�N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�60 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)15A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)42 毫歐 @ 10A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)15 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)535 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)37W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�TO-252AA
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線 + 接片�,SC-63