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IRF3315PBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/27 16:30:34 查看 閱讀�13

IRF3315PBF 是一款高性能的功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),采用P-Channel技�(shù)。該器件廣泛�(yīng)用于各種�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)和電�(jī)控制等領(lǐng)�。其�(shè)�(jì)�(yōu)化了�(dǎo)通電阻和柵極電荷,從而提高了效率并降低了功�。IRF3315PBF具備出色的熱性能和電氣特性,能夠滿足高效�、高可靠性的�(yīng)用需��
  這款器件封裝形式為PowerPAK? SO-8,具有低熱阻和優(yōu)異的散熱能力,使其在高頻和大電流的應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)出色。通過(guò)減少�(kāi)�(guān)損耗和傳導(dǎo)損�,IRF3315PBF成為了許多便攜式�(shè)備及工業(yè)控制系統(tǒng)的理想選��

參數(shù)

最大漏源電壓:-30V
  連續(xù)漏極電流�-6.4A
  �(dǎo)通電阻:20mΩ
  柵極電荷�2.5nC
  總電容:290pF
  工作溫度范圍�-55� to 150�
  封裝形式:PowerPAK? SO-8

特�

IRF3315PBF的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠在高電流條件下提供高效的性能�
  2. 小巧的PowerPAK? SO-8封裝,適合空間受限的�(shè)�(jì)�
  3. 較低的柵極電荷和輸出電容,有助于降低�(kāi)�(guān)損��
  4. 高度可靠的性能,在極端溫度范圍�(nèi)也能保持�(wěn)定運(yùn)��
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適用于現(xiàn)代電子設(shè)備的要求�
  6. 快速開(kāi)�(guān)速度,可支持高頻操作�(huán)��
  這些特性使得IRF3315PBF成為多種電力電子系統(tǒng)中的�(guān)鍵元件,尤其是在需要高效能和高可靠性的�(yīng)用中表現(xiàn)尤為突出�

�(yīng)�

IRF3315PBF主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流電��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的高端�(kāi)�(guān)或低端開(kāi)�(guān)�
  3. 各類�(fù)載開(kāi)�(guān),用于保�(hù)電路免受�(guò)流和短路的影��
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)和控��
  6. 便攜式電子設(shè)備的電源管理�
  由于其低�(dǎo)通電阻和小封裝尺�,IRF3315PBF非常適合于對(duì)效率和空間要求較高的�(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

IRF7103TRPBF, IRF7105TRPBF, IRF7106TRPBF

irf3315pbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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irf3315pbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)150V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C23A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C70 毫歐 @ 12A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs95nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1300pF @ 25V
  • 功率 - 最�94W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRF3315PBF