SQCB2M331JAJME 是一款由 Vishay 公司生產� N 溝道功率 MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技�,具有低導通電阻和高開關速度的特點,適合用于高效能的開關電源、DC-DC 轉換器、電機驅動以及負載開關等應用。其封裝形式� SuperSOT-23 封裝,能夠有效節(jié)省電路板空間�
型號:SQCB2M331JAJME
品牌:Vishay
類型:N 溝道 MOSFET
Vds(漏源電壓)�30V
Rds(on)(導通電阻,典型值)�2.5mΩ
Id(持�(xù)漏極電流):4.6A
Vgs(th)(柵極閾值電壓)�1.2V~2.4V
Qg(柵極電荷)�7nC
fT(特征頻率)�190MHz
封裝:SuperSOT-23
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,可顯著降低導通損�,提高整體系�(tǒng)效率�
2. 高效的開關性能,得益于其較低的柵極電荷和快速的開關時間�
3. �(yōu)化的小型� SuperSOT-23 封裝設計,使得該器件非常適合于緊湊型 PCB 布局�
4. 寬泛的工作溫度范圍(-55°C � +150°C�,適應多種環(huán)境條件下的穩(wěn)定運��
5. 符合 RoHS 標準,并且無鹵素,環(huán)保友好�
6. 支持高頻開關應用,適用于消費電子和工�(yè)領域中的各種高效能轉換電路�
1. 開關電源(Switching Power Supplies�
2. DC-DC 轉換�
3. 電池管理與保護系�(tǒng)
4. 電機驅動與控�
5. 熱插拔電路和負載開關
6. 工業(yè)自動化設備中的高效功率轉換模�
7. 消費類電子產品如智能手機和平板電腦中的充電管理單�
SQJE2M33PME, SiA432DJ, BSS138