FDA16N50LDTU 是一款基于先�(jìn)的超�(jié)技�(shù)� N 溝道功率 MOSFET。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能,適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和其他功率管理應(yīng)�。其�(yōu)化的�(shè)�(jì)使其在高效率和緊湊型�(shè)�(jì)中表�(xiàn)出色�
這款功率 MOSFET 的額定電壓為 500V,能夠承受較高的漏源電壓,同�(shí)保持較低的導(dǎo)通損�,從而提升整體系�(tǒng)效率�
最大漏源電壓:500V
最大漏極電流:16A
�(dǎo)通電阻(典型值)�0.18Ω
柵極電荷(典型值)�23nC
輸入電容(典型值)�900pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
FDA16N50LDTU 使用了先�(jìn)的超�(jié)技�(shù),實(shí)�(xiàn)了低�(dǎo)通電阻與高擊穿電壓的�(jié)合。它具有極低的開�(guān)損耗和高能效表�(xiàn),非常適合高頻開�(guān)�(yīng)用場景�
此外,該器件具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠�,能夠在極端溫度條件下正常運(yùn)行。它的封裝設(shè)�(jì)�(jìn)一步增�(qiáng)了散熱性能,使得該 MOSFET 在高功率密度的應(yīng)用場合下依然能夠保持高效和穩(wěn)定的工作狀�(tài)�
FDA16N50LDTU 的快速開�(guān)特性減少了電磁干擾(EMI�,并允許使用更小的無源元�,從而降低整�(gè)系統(tǒng)的成本和尺寸。綜合來看,這是一款兼具高性能和經(jīng)�(jì)性的功率 MOSFET�
FDA16N50LDTU 廣泛�(yīng)用于需要高效率和高可靠性的功率�(zhuǎn)換場景中,例如:
- 開關(guān)電源(SMPS�
- DC-DC �(zhuǎn)換器
- PFC(功率因�(shù)校正)電�
- 電機(jī)�(qū)�(dòng)
- 工業(yè)控制
- 太陽能逆變�
由于其高耐壓能力和低�(dǎo)通損�,該器件特別適合于要求嚴(yán)苛的工業(yè)和汽車環(huán)��
FDZ16N50LDTU
IRFP460
FQA16P50E