SQ2398ES-T1_GE3 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開(kāi)�(guān)電路�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)效率并降低功耗�
這款 MOSFET 通常用于需要高效能和高可靠性的�(yīng)用場(chǎng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、電池管理系�(tǒng)以及消費(fèi)類電子設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)��
類型:N溝道增強(qiáng)� MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�40A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�5mΩ
總功�(Ptot)�210W
工作溫度范圍(Ta)�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247
SQ2398ES-T1_GE3 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少�(dǎo)通損�,提升整體系�(tǒng)效率�
2. 快速的�(kāi)�(guān)速度,可滿足高頻�(yīng)用需��
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的耐用��
4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代綠色設(shè)�(jì)要求�
5. 提供�(yōu)異的熱性能,確保在高功率條件下�(wěn)定運(yùn)��
6. �(nèi)置靜電保�(hù)功能,提高了器件的可靠性與抗干擾能��
SQ2398ES-T1_GE3 可應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器,提供高效的電能�(zhuǎn)��
2. 電池管理系統(tǒng)(BMS),用于電池充放電控制及保�(hù)�
3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開(kāi)�(guān),如筆記本電腦適配器、智能手�(jī)快速充電器��
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路,實(shí)�(xiàn)精準(zhǔn)的電流控��
5. 汽車電子�(lǐng)�,適用于啟動(dòng)馬達(dá)控制、車載充電系�(tǒng)以及其他�(guān)鍵部��
SQ2398ES-T1, IRF540N, FDP5500NL