2SK210-GR 時(shí)間：2025/5/20 21:11:37 閱讀：7

2SK210-GR是一種N溝道MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），主要應(yīng)用于高頻功率放大器、射頻開關(guān)等電子電路中。該器件屬于橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）類型，適用于高頻和高效率的功率放大應(yīng)用。它具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的擊穿電壓，能夠在高頻條件下提供出色的性能。

參數(shù)

型號(hào)：2SK210-GR
　　類型：N溝道MOSFET
　　漏源擊穿電壓：30V
　　柵源擊穿電壓：±20V
　　最大漏極電流：8A
　　導(dǎo)通電阻：0.4Ω
　　柵極電荷：25nC
　　輸入電容：670pF
　　輸出電容：100pF
　　工作溫度范圍：-55℃至+150℃
　　封裝形式：TO-39

特性

2SK210-GR以其卓越的高頻性能而著稱。其低導(dǎo)通電阻能夠減少功率損耗，提高整體效率。此外，該器件的高擊穿電壓使其適合于需要穩(wěn)定性和可靠性的高壓應(yīng)用場景。
　　在高頻條件下，2SK210-GR表現(xiàn)出良好的線性度和增益性能，這使得它成為射頻功率放大器的理想選擇。同時(shí)，它的緊湊型TO-39封裝設(shè)計(jì)便于集成到小型化設(shè)備中，進(jìn)一步提升了其在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用價(jià)值。
　　該器件還具備快速開關(guān)能力，可以有效降低開關(guān)損耗，并且其熱穩(wěn)定性保證了在極端溫度條件下的正常運(yùn)行。由于其高效的散熱特性和堅(jiān)固的設(shè)計(jì)，2SK210-GR在各種工業(yè)和通信應(yīng)用中均表現(xiàn)優(yōu)異。

應(yīng)用

2SK210-GR廣泛應(yīng)用于高頻功率放大器領(lǐng)域，例如無線通信基站、業(yè)余無線電設(shè)備和工業(yè)射頻設(shè)備等。此外，它也常用于射頻開關(guān)、脈沖形成網(wǎng)絡(luò)以及雷達(dá)系統(tǒng)等對頻率響應(yīng)要求較高的場景。
　　在消費(fèi)類電子產(chǎn)品中，2SK210-GR可用于音頻功率放大器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合。由于其高效率和可靠性，該器件也被廣泛應(yīng)用于航空航天和國防領(lǐng)域，為關(guān)鍵任務(wù)提供支持。