時間：2025/5/30 10:21:45
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SPP21N10是一款基于MOSFET技術(shù)的功率場效應(yīng)晶體管，采用先進的制造工藝，專為高效率、低功耗的應(yīng)用場景設(shè)計。其主要特點是具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開關(guān)速度，適用于多種電源管理領(lǐng)域。
SPP21N10屬于N溝道增強型MOSFET，能夠承受高達(dá)100V的漏源電壓，并提供最大21A的連續(xù)漏極電流（在特定條件下）。由于其優(yōu)異的電氣性能和緊湊的封裝形式，這款器件被廣泛應(yīng)用于消費電子、工業(yè)控制以及汽車電子等領(lǐng)域。
漏源電壓(Vds)：100V
連續(xù)漏極電流(Id)：21A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
柵極閾值電壓(Vgs(th))：2.0V~4.0V
輸入電容(Ciss)：3790pF
總功耗(Ptot)：18W
工作溫度范圍(Tj)：-55℃~175℃
封裝形式：TO-220
SPP21N10采用了優(yōu)化的芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計，確保了低導(dǎo)通電阻的同時保持了較高的耐壓能力。
該器件具有以下特點：
1. 極低的導(dǎo)通電阻，有助于減少導(dǎo)通損耗并提高整體效率。
2. 快速的開關(guān)速度，適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
3. 高雪崩能量能力，增強了器件的魯棒性和可靠性。
4. 緊湊的封裝形式，便于電路板布局和散熱設(shè)計。
5. 廣泛的工作溫度范圍，適應(yīng)各種惡劣環(huán)境下的使用需求。
此外，SPP21N10還具備良好的熱穩(wěn)定性和電磁兼容性，進一步提升了其在實際應(yīng)用中的表現(xiàn)。
SPP21N10適用于多種電力電子應(yīng)用場景，包括但不限于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源(SMPS)，如AC-DC轉(zhuǎn)換器、DC-DC變換器等。
2. 電機驅(qū)動電路，用于控制直流無刷電機或步進電機。
3. LED驅(qū)動器，支持大功率LED照明系統(tǒng)。
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)，用于保護鋰電池組免受過充、過放等異常情況的影響。
5. 工業(yè)自動化設(shè)備，如PLC控制器、變頻器等。
6. 汽車電子系統(tǒng)，例如車載充電器、電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPAS)等。
IRFZ44N
STP21N10
FDP21N10
