5AGXMA3D4F31I3G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高性能功率晶體�,屬于新一代寬禁帶半導體器件。該型號主要面向高效率電源轉(zhuǎn)�、DC-DC �(zhuǎn)換器以及高頻開關(guān)�(yīng)用等場景。其采用增強型場效應(yīng)晶體� (e-mode HEMT) �(shè)�,具有低導通電阻和快速開�(guān)能力,能夠顯著提高系�(tǒng)的功率密度和效率�
由于其材料特�,該器件能夠在更高頻�、更高溫度下運行,同時減少能量損�。此外,它還集成了保護功能以提升系統(tǒng)可靠��
類型:功率晶體管
材料:氮化鎵 (GaN)
Vds(最大漏源電壓)�600V
Rds(on)(導通電阻)�40mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):8A
Qg(柵極電荷)�40nC
Coss(輸出電容)�250pF
工作溫度范圍�-40� � +150�
封裝形式:TO-247
5AGXMA3D4F31I3G 具備以下�(guān)鍵特性:
1. 高效性能:得益于 GaN 材料的優(yōu)異屬�,該器件在高頻條件下表現(xiàn)出較低的能量損�,適合需要高效率的應(yīng)��
2. 快速開�(guān):相比傳�(tǒng)硅基 MOSFET,其開關(guān)速度更快,有助于簡化磁性元件設(shè)計并降低整體體積�
3. 緊湊�(shè)計:�(jié)合高效的熱管理能�,使得其在小尺寸封裝中依然保持良好的散熱表現(xiàn)�
4. �(nèi)置保護機制:包括過流保護、短路耐受等功�,增強了�(chǎn)品的魯棒��
5. 寬工作范圍:支持從低至幾十kHz到數(shù)MHz的工作頻率區(qū)間,靈活性強�
這款芯片適用于廣泛的工業(yè)及消費類電子�(lǐng)域,例如�
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � AC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電動車充電基�(chǔ)�(shè)施中的雙向功率變換模塊�
3. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器供電單� (PSU)�
4. 太陽能微型逆變器和儲能系統(tǒng)�
5. 無線充電�(fā)射端與接收端電路�
6. 高頻諧振�(zhuǎn)換拓撲,� LLC � CLLC 換流��
5BGXMA3D4F31I3G, 6AHXMA3D4F21I3G