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SPB80N04S2-H4 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 16:08:06 查看 閱讀�16

SPB80N04S2-H4 是一款高性能� N 沫場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝。該器件具有低導(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能,適用于多種功率�(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)�。其封裝形式� SuperSO8,適合表面貼裝技�(shù)(SMT),能夠有效降低寄生電感并提高系�(tǒng)效率�
  SPB80N04S2-H4 主要用于需要高效能功率管理的場(chǎng)景,� DC-DC �(zhuǎn)換器、電源適配器、電池管理系�(tǒng)以及各種工業(yè)控制�(shè)��

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�80A
  �(dǎo)通電阻:1.6mΩ
  柵極電荷�35nC
  總電容:1450pF
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

SPB80N04S2-H4 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可顯著減少傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高電流處理能�,支持高�(dá) 80A 的連續(xù)漏極電流�
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能,得益于低柵極電荷和輸出電荷�(shè)�(jì)�
  4. 良好的熱�(wěn)定性,能夠在極端溫度條件下正常�(yùn)��
  5. SuperSO8 封裝提供�(yōu)越的散熱性能和機(jī)械強(qiáng)��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�

�(yīng)�

SPB80N04S2-H4 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的同步整��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心功率開(kāi)�(guān)元件�
  3. 電動(dòng)車輛及混合動(dòng)力汽車的電池管理系統(tǒng)�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  5. 高效 LED 照明�(qū)�(dòng)��
  6. 各類消費(fèi)電子�(chǎn)品的充電解決方案�
  由于其卓越的性能,這款 MOSFET 特別適合需要高效率、高可靠性的功率管理�(chǎng)��

替代型號(hào)

SPB80N04L2-H4, IRF840, FDP068N04L

spb80n04s2-h4推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

spb80n04s2-h4資料 更多>

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spb80n04s2-h4參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列OptiMOS?
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�40 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)80A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)4 毫歐 @ 80A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)148 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)5890 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)300W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�PG-TO263-3-2
  • 封裝/外殼TO-263-3,D2Pak�2 引線 + 接片�,TO-263AB