DMN601K-7
�(shí)間:2023/2/17 16:51:38
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制造商:DiodesInc.
�(chǎn)品種類:MOSFET小信�
RoHS:是
概述
制造商:DiodesInc.
�(chǎn)品種類:MOSFET小信�
RoHS:是
配置:Single
晶體管極性:N-Channel
汲極/源極擊穿電壓�60V
�/源擊穿電壓:+/-20V
漏極連續(xù)電流�0.3A
功率耗散�350mW
最大工作溫度:+150C
安裝�(fēng)格:SMD/SMT
封裝/箱體:SOT-23-3
封裝:Reel
最小工作溫度:-65C
StandardPackQty�3000
dmn601k-7推薦供應(yīng)�
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dmn601k-7資料
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- DMN601K-7
- N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFF...
- DIODES
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下載
dmn601k-7參數(shù)
- �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
- 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
- 家庭FET - �
- 系列-
- FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 特點(diǎn)邏輯電平門
- 漏極至源極電�(Vdss)60V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C300mA
- 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2 歐姆 @ 500mA�10V
- Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
- 閘電�(Qg) @ Vgs-
- 輸入電容 (Ciss) @ Vds50pF @ 25V
- 功率 - 最�350mW
- 安裝類型表面貼裝
- 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3
- 包裝帶卷 (TR)
- 其它名稱DMN601K-7-FDMN601K-FDITRDMN601K-FDITR-NDDMN601K-FTRDMN601K-FTR-ND