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SPA20N60C3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/29 10:48:13 查看 閱讀:11

SPA20N60C3是一款由Semikron生產(chǎn)的高壓功率MOSFET,采用TO-247封裝形式。該器件專為高效率和高可靠性應(yīng)用而設(shè)計(jì),適用于工業(yè)、可再生能源以及汽車電子領(lǐng)域。其耐壓值高達(dá)600V,具有較低的導(dǎo)通電阻和出色的開(kāi)關(guān)性能,使其在硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)電路中表現(xiàn)出色。
  SPA20N60C3的主要特點(diǎn)包括低柵極電荷、優(yōu)化的dv/dt性能以及增強(qiáng)的熱穩(wěn)定性,這些特性使其成為高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器、逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等應(yīng)用的理想選擇。

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流:20A
  導(dǎo)通電阻(典型值):150mΩ
  柵極電荷(Qg):80nC
  輸入電容(Ciss):2300pF
  總功耗:250W
  工作溫度范圍:-55℃ to +175℃

特性

SPA20N60C3具備以下顯著特性:
  1. 高電壓能力,能夠承受高達(dá)600V的漏源電壓,確保在高壓環(huán)境下的可靠運(yùn)行。
  2. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)),典型值為150mΩ,在大電流應(yīng)用中降低了傳導(dǎo)損耗。
  3. 極低的柵極電荷(Qg),有助于提高開(kāi)關(guān)速度并降低開(kāi)關(guān)損耗。
  4. 優(yōu)化的dv/dt性能,減少開(kāi)關(guān)噪聲和寄生振蕩。
  5. 增強(qiáng)的熱穩(wěn)定性,能夠在高溫條件下保持穩(wěn)定的性能。
  6. TO-247標(biāo)準(zhǔn)封裝,便于散熱和安裝,適合多種功率模塊需求。
  7. 符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn),滿足全球市場(chǎng)對(duì)綠色電子產(chǎn)品的要求。

應(yīng)用

SPA20N60C3適用于以下應(yīng)用場(chǎng)景:
  1. 高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器,如電信電源和服務(wù)器電源。
  2. 工業(yè)逆變器和變頻器,用于電機(jī)控制和能量管理。
  3. 太陽(yáng)能光伏逆變器,實(shí)現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換。
  4. 車載充電器和電動(dòng)車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。
  5. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)和不間斷電源(UPS)。
  6. 各類工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。

替代型號(hào)

SKM20N120D3, IRFP460, FDP18N60

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spa20n60c3參數(shù)

  • 制造商Infineon
  • 產(chǎn)品種類MOSFET
  • 晶體管極性N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓600 V
  • 閘/源擊穿電壓+/- 20 V
  • 漏極連續(xù)電流20.7 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)190 mOhms
  • 配置Single
  • 最大工作溫度+ 150 C
  • 安裝風(fēng)格Through Hole
  • 封裝 / 箱體TO-220FP
  • 封裝Tube
  • 下降時(shí)間4.5 ns
  • 最小工作溫度- 55 C
  • 功率耗散34.5 W
  • 上升時(shí)間5 ns
  • 典型關(guān)閉延遲時(shí)間67 ns
  • 零件號(hào)別名SP000216354 SPA20N60C3XK SPA20N60C3XKSA1