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時(shí)間：2025/5/31 1:33:41
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SI3993DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。該器件采用 TrenchFET? 第三代技術(shù)制造，具有極低的導(dǎo)通電阻和出色的開(kāi)關(guān)性能，非常適合于需要高效率和低損耗的應(yīng)用場(chǎng)景。其封裝形式為 TinyPower? 2x2 mm DFN8 (TSSOP8)，有助于節(jié)省電路板空間并提升散熱性能。
這款 MOSFET 廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、通信設(shè)備、計(jì)算機(jī)及外設(shè)等領(lǐng)域，特別適合 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)、同步整流和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：7.1A
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：1.5mΩ @ Vgs=10V
柵極電荷：21nC
輸入電容：1340pF
工作溫度范圍：-55℃ to +150℃
封裝類型：DFN8 (TSSOP8)
SI3993DV-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 極低的導(dǎo)通電阻，可有效降低傳導(dǎo)損耗，提高系統(tǒng)效率。
2. 高速開(kāi)關(guān)性能，能夠滿足高頻應(yīng)用需求。
3. 小尺寸封裝設(shè)計(jì)，便于在緊湊型設(shè)計(jì)中使用。
4. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且支持無(wú)鉛焊接工藝。
5. 可靠性高，能夠在寬溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。
6. 內(nèi)置反向二極管，簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)并增強(qiáng)了功能安全性。
7. 支持大電流操作，適用于多種功率轉(zhuǎn)換和控制場(chǎng)合。
該 MOSFET 常用于以下應(yīng)用場(chǎng)景：
1. 開(kāi)關(guān)電源中的同步整流。
2. DC/DC 轉(zhuǎn)換器的核心開(kāi)關(guān)元件。
3. 負(fù)載開(kāi)關(guān)，在各種便攜式設(shè)備中實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)啟和關(guān)閉。
4. 電池管理系統(tǒng)的保護(hù)和控制。
5. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，用于調(diào)節(jié)速度和方向。
6. LED 照明驅(qū)動(dòng)，提供精確的電流控制。
7. 各種工業(yè)自動(dòng)化和汽車電子系統(tǒng)中的功率級(jí)組件。
SI3993DS, SI3461DS
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