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SPA06N60C3 發(fā)布時間 時間�2025/5/29 1:28:08 查看 閱讀�16

SPA06N60C3 是一� N 灃道開關(guān) MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),屬� STMicroelectronics � MDmesh 技�(shù)系列。該器件采用 DPAK 封裝,設(shè)計用于高頻開�(guān)�(yīng)用和功率�(zhuǎn)換電��
  MDmesh 技�(shù)通過�(yōu)化單元結(jié)�(gòu),在保證低導(dǎo)通電阻的同時,減少了柵極電荷和輸出電�,從而提高了效率并降低了開關(guān)損耗。這使� SPA06N60C3 成為電源管理、電�(jī)�(qū)動以� DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)用的理想選擇�

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�6.1A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.45Ω
  柵極電荷(典型值)�27nC
  總電容(典型值)�198pF
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

SPA06N60C3 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 高電壓能力:600V 的額定漏源電壓使其適用于高壓工業(yè)和汽車環(huán)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:在典型條件下,導(dǎo)通電阻僅� 1.45Ω,有助于減少傳導(dǎo)損��
  3. 快速開�(guān)性能:低柵極電荷和輸出電荷確保了更快的開�(guān)速度,從而降低開�(guān)損��
  4. 熱穩(wěn)定性:能夠在高�(dá) 150� 的結(jié)溫下可靠�(yùn)��
  5. 小型封裝:DPAK 封裝提供良好的散熱性能和緊湊的�(shè)計,適合空間受限的應(yīng)用場��
  6. 可靠性高:經(jīng)過嚴(yán)格的測試流程,確保在惡劣�(huán)境下長期�(wěn)定運(yùn)��

�(yīng)�

SPA06N60C3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):包括 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電機(jī)�(qū)動:用于控制和調(diào)節(jié)各種類型的電�(jī)�
  3. 電磁閥驅(qū)動:為電磁閥提供高效的開�(guān)解決方案�
  4. 工業(yè)自動化:在工�(yè)�(shè)備中�(shí)�(xiàn)精確的功率控��
  5. 電池充電器:提高充電效率并減少熱量產(chǎn)��
  6. 照明系統(tǒng):如 LED �(qū)動器和電子鎮(zhèn)流器中的功率級組��

替代型號

STP06N60E, IRF650

spa06n60c3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

spa06n60c3資料 更多>

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spa06n60c3參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表SPA06N60C3
  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列CoolMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)650V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6.2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C750 毫歐 @ 3.9A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3.9V @ 260µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs31nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds620pF @ 25V
  • 功率 - 最�32W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3 整包
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO220-FP
  • 包裝管件
  • 其它名稱SP000216301SPA06N60C3INSPA06N60C3XK