UGF30G是一款基于硅技�(shù)制造的高壓功率�(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),廣泛�(yīng)用于高電壓和高效率場(chǎng)景中。該器件屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,適合在電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各類工業(yè)�(yīng)用中使用�
UGF30G采用了先�(jìn)的封裝設(shè)�(jì),能夠有效提高散熱性能并降低寄生電�,從而提升整體系�(tǒng)效率和可靠��
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�4A
�(dǎo)通電阻:1.2Ω
柵極-源極電壓:�20V
功耗:25W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
封裝形式:TO-220
1. 高耐壓能力,可承受高達(dá)600V的漏源電�,適用于多種高壓�(yīng)用場(chǎng)景�
2. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì),有助于減少功率損耗并提高能效�
3. 快速開(kāi)�(guān)速度,支持高頻工作模式,適合�(kāi)�(guān)電源和DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)��
4. 先�(jìn)的熱管理�(shè)�(jì),確保在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定運(yùn)��
5. �(qiáng)大的抗靜電能力(ESD保護(hù)�,提高了�(chǎn)品的可靠性和耐用性�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì),滿足現(xiàn)代電子行�(yè)的環(huán)保要��
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率開(kāi)�(guān)元件�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器和逆變器電路中的高頻開(kāi)�(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電��
4. 各類工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模��
5. 照明系統(tǒng)中的�(zhèn)流器和調(diào)光控制器�
6. 電池充電器和其他需要高效率功率�(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)��
IRF840, STP30NF60, FDP18N60