SNJ55325J 是一款高性能、低功耗的 N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有出色的開關(guān)特性和較低的導(dǎo)通電�,適用于多種電源管理�(yīng)用場合�
其封裝形式為 TO-252(DPAK�,適合表面貼�,能夠有效節(jié)省電路板空間,并提供良好的散熱性能�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�4.1A
�(dǎo)通電阻:80mΩ
柵極電荷�10nC
工作溫度范圍�-55� � +150�
存儲(chǔ)溫度范圍�-65� � +175�
SNJ55325J 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可減少功率損耗并提高效率�
2. 快速開�(guān)速度,有助于降低開關(guān)損耗�
3. 高雪崩能量能�,提升了器件的可靠性�
4. 較寬的工作溫度范�,適�(yīng)各種�(huán)境條��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保設(shè)�(jì)�
6. 提供�(yōu)異的熱穩(wěn)定性和電氣性能�
該功� MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)�
3. 電池保護(hù)電路�
4. 工業(yè)控制及汽車電子中的功率管理模��
5. LED �(qū)�(dòng)器和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場��
IRF530N, FDN340P, BSS138