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MMBTA05LT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 23:01:32 查看 閱讀�23

MMBTA05LT1G 是一款小信號(hào) NPN 晶體�,采� SOT-23 封裝形式。該晶體管通常用于開關(guān)和放大應(yīng)�,具有低噪聲、高增益和快速開�(guān)的特�(diǎn)。其�(shè)�(jì)適合于高頻和低功率的�(yīng)用場��
  MMBTA05LT1G 屬于 On Semiconductor(現(xiàn)為安森美半導(dǎo)體)的產(chǎn)品線,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、通信�(shè)備以及工�(yè)控制�(lǐng)��

參數(shù)

集電�-�(fā)射極電壓�40V
  集電極電流:200mA
  直流電流增益(hFE):80~300
  過渡頻率(fT):1GHz
  最大功耗:340mW
  工作溫度范圍�-55� to 150�

特�

MMBTA05LT1G 是一種高性能的小信號(hào)晶體�,主要特�(diǎn)包括�
  1. 高頻性能:具有高�(dá) 1GHz 的過渡頻率,適用于高頻信�(hào)處理和射頻應(yīng)��
  2. 小型封裝:SOT-23 封裝使其非常適用于空間受限的�(shè)�(jì)�(huán)��
  3. 高增益:其直流電流增益范圍為 80 � 300,非常適合需要穩(wěn)定增益的電路�
  4. 寬溫范圍:可以在 -55°C � +150°C 的溫度范圍內(nèi)可靠�(yùn)�,滿足各種苛刻的工作條件需求�
  5. 快速開�(guān)能力:得益于其高頻特性和低飽和特�,適合高速數(shù)字開�(guān)�(yīng)��
  6. 低噪聲設(shè)�(jì):適合對(duì)噪聲敏感的音頻或射頻電路�

�(yīng)�

這款晶體管廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)�(yīng)用:如在電源管理模塊中用作開�(guān)元件�
  2. 射頻和高頻放大器:利用其高頻性能�(jìn)行信�(hào)放大�
  3. 工業(yè)控制系統(tǒng):在自動(dòng)化設(shè)備中作為信號(hào)�(diào)節(jié)或邏輯驅(qū)�(dòng)元件�
  4. 消費(fèi)電子�(chǎn)品:例如智能手機(jī)、平板電腦中的低功率信號(hào)處理�
  5. 音頻�(shè)備:如耳機(jī)放大器、麥克風(fēng)前置放大器等�
  6. �(shù)�(jù)通信:在�(wǎng)�(luò)�(shè)備中�(shí)�(xiàn)�(shù)�(jù)信號(hào)的放大與切換功能�

替代型號(hào)

MMBT2222A, 2N3904, BC847

mmbta05lt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

mmbta05lt1g資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

mmbta05lt1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類�NPN
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)500mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)60V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)250mV @ 10mA�100mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)100nA
  • 在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)100 @ 100mA�1V
  • 功率 - 最�225mW
  • 頻率 - �(zhuǎn)�100MHz
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MMBTA05LT1GOSMMBTA05LT1GOS-NDMMBTA05LT1GOSTR