SNB5072C1ZNBR 是一款表面貼裝的功率 MOSFET 芯片,基� N 溝道增強型技�。該器件采用 DPAK (TO-252) 封裝,適合高效率和高功率密度應用。其低導通電阻特性使其成為電源管�、電機驅(qū)動以及負載開關等領域的理想選��
這款 MOSFET 的設計目標是提供出色的性能表現(xiàn),在高頻開關應用中具有較低的開關損耗和較高的電流承載能力�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�42A
導通電阻(典型值)�2.5mΩ
柵極電荷�39nC
總電容:1850pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝類型:DPAK (TO-252)
SNB5072C1ZNBR 具有非常低的導通電�,能夠顯著減少功率損�,從而提升整體系�(tǒng)的效�。此�,它還具備快速的開關速度和優(yōu)秀的熱�(wěn)定性,可以滿足嚴苛的工作環(huán)境需��
該芯片采用了先進的半導體制造工�,確保了良好的一致性和可靠�。在高溫�(huán)境下,依然能夠保持穩(wěn)定的電氣性能,非常適合需要長期運行的工業(yè)和汽車應用�
其卓越的散熱特性和堅固的結(jié)構設�,進一步增強了�(chǎn)品的耐用性。同�,該器件符合 RoHS 標準,環(huán)保且易于焊接與安��
� MOSFET 廣泛應用� DC-DC �(zhuǎn)換器、開關電�、電機控制電路以及電池管理系�(tǒng)等領域�
� DC-DC �(zhuǎn)換器�,SNB5072C1ZNBR 可以作為主開關管使用,憑借其低導通電阻降低功�,提高轉(zhuǎn)換效��
對于電機�(qū)動應�,它可以精確地控制電機的啟動、停止及�(diào)速操�。同時,由于其出色的過流保護能力,也可以有效地防止短路或過載情況的發(fā)��
此外,這款器件也適用于負載開關和配電系�(tǒng)中的功率路徑管理,為�(xiàn)代電子設備提供了可靠的電力傳輸解決方��
SNB5072C1ZNB, IRF540N, FDP5020N