日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來(lái)到維�(kù)電子市場(chǎng)�(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)

您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IRF7476TRPBF

IRF7476TRPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 10:36:09 查看 閱讀�31

IRF7476TRPBF 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道邏輯電平增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用了先�(jìn)的溝槽技�(shù),具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,適合用于高效率、高頻的�(yīng)用場(chǎng)�。其封裝形式� SO-8,適用于表面貼裝工藝,能夠提供出色的熱性能和電氣性能�
  這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)等領(lǐng)�,憑借其低導(dǎo)通損耗和快速開(kāi)�(guān)能力,成為眾多設(shè)�(jì)中的理想選擇�

參數(shù)

型號(hào):IRF7476TRPBF
  �(lèi)型:N 溝道 MOSFET
  Vds(漏源極擊穿電壓):30V
  Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�4.5mΩ
  Id(連續(xù)漏極電流):56A
  Vgs(th)(柵極開(kāi)啟電壓)�1.2V � 2.4V
  Qg(總柵極電荷):15nC
  fT(特征頻率)�1.9MHz
  封裝:SO-8
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C

特�

IRF7476TRPBF 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠有效降低傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高額定電� Id�56A),可滿(mǎn)足大電流�(yīng)用的需��
  3. 快速開(kāi)�(guān)能力,得益于較小的總柵極電荷 Qg 和較高的特征頻率 fT�
  4. 支持邏輯電平�(qū)�(dòng),兼容標(biāo)�(zhǔn)� CMOS � TTL 輸出信號(hào),簡(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì)�
  5. 小巧� SO-8 封裝,節(jié)� PCB 空間并具備良好的散熱性能�
  6. 寬廣的工作溫度范�,能夠在極端�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(mǎn)足國(guó)際法�(guī)要求�

�(yīng)�

IRF7476TRPBF 可廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流和主開(kāi)�(guān)��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)�
  3. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器中� H 橋或半橋配置�
  5. 工業(yè)控制�(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊�
  6. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的高效電源管理解決方��
  7. 通信�(shè)備中的動(dòng)�(tài)�(fù)載調(diào)節(jié)和功率分配�
  由于其優(yōu)異的性能和可靠�,IRF7476TRPBF 成為許多高性能電力電子系統(tǒng)的關(guān)鍵元��

替代型號(hào)

IRF7476GTRPBF, IRF7476DPBF

irf7476trpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

irf7476trpbf資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

irf7476trpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)12V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C15A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8 毫歐 @ 15A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.9V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs40nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2550pF @ 6V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)IRF7476TRPBF-NDIRF7476TRPBFTR