SISH625DN-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET? 第三代技�(shù)制�,具有極低的�(dǎo)通電阻和高效率性能。它適用于各種開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、負(fù)載切換以及其他需要高性能功率管理的應(yīng)用場景�
這款 MOSFET 在高頻開�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色,同時其出色的熱性能也使其能夠在緊湊的設(shè)計中保持�(wěn)定運(yùn)行�
型號:SISH625DN-T1-GE3
類型:N 溝道 MOSFET
Vds(漏源電壓)�60V
Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�2.5mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):178A
Vgs(th)(柵極閾值電壓)�2.4V
Qg(總柵極電荷):46nC
EAS(雪崩能量)�1.2J
封裝:TO-247-3L
SISH625DN-T1-GE3 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 確保了高效的功率�(zhuǎn)換并減少了功耗�
2. 高額定電流能� Id �(dá)� 178A,適合大功率�(yīng)用場��
3. 采用 TrenchFET 第三代技�(shù)�(shè)�,提供卓越的開關(guān)性能�
4. 具備出色的熱�(wěn)定性,能夠承受較高的工作溫��
5. 總柵極電� Qg 低至 46nC,有助于降低開關(guān)損��
6. 封裝形式� TO-247-3L,便于散熱和安裝�
7. 可靠性高,支持雪崩能量保�(hù)功能,確保在異常條件下安全運(yùn)��
SISH625DN-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)或同步整流元��
2. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率級控制�
3. 各類�(fù)載切換和保護(hù)電路�
4. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)中的功率管理模塊�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率放大和�(diào)節(jié)組件�
6. 電動汽車 (EV) 和混合動力汽� (HEV) 中的動力傳動系統(tǒng)和電池管理系�(tǒng)�
SISH624DN, SISH626DN