PHD96NQ03LT 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT),專為高頻、高效和高功率密度應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的封裝工�,具有極低的�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性,適用于各種高性能電源�(zhuǎn)換場(chǎng)��
該芯片在�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、無(wú)線充電設(shè)備以及工�(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)域表�(xiàn)出色。憑借其卓越的性能和穩(wěn)定性,PHD96NQ03LT 成為了現(xiàn)代電力電子設(shè)�(jì)的理想選��
額定電壓�650V
連續(xù)漏極電流�34A
�(dǎo)通電阻:3.8mΩ
柵極電荷�72nC
反向恢復(fù)電荷:無(wú)
�(kāi)�(guān)頻率范圍:最高支持至5MHz
工作溫度范圍�-55� � +175�
PHD96NQ03LT 的主要特性包括:
1. 高效率:得益� GaN 技�(shù),該器件能夠在高頻條件下保持極高的效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)能力:具備較低的�(kāi)�(guān)損耗和極快的開(kāi)�(guān)速度,適合高頻應(yīng)��
3. 熱性能�(yōu)異:芯片�(shè)�(jì)�(yōu)化了散熱路徑,確保在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
4. 高可靠性:通過(guò)�(yán)格的�(cè)試和�(yàn)證流�,保證長(zhǎng)期使用的可靠��
5. 小型化設(shè)�(jì):先�(jìn)的封裝形式有助于減少整體電路板空間占用�
6. 寬工作溫度范圍:能夠適應(yīng)極端�(huán)境條�,滿足工�(yè)和汽車領(lǐng)域的需��
PHD96NQ03LT 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. �(wú)線充電設(shè)�
4. 太陽(yáng)能逆變�
5. 電動(dòng)汽車充電�
6. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)
7. �(shù)�(jù)中心供電系統(tǒng)
8. 消費(fèi)類快充適配器
GXT65NQ04LH, BSC038N06NSG