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PHD96NQ03LT 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 14:21:16 查看 閱讀�9

PHD96NQ03LT 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT),專為高頻、高效和高功率密度應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的封裝工�,具有極低的�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性,適用于各種高性能電源�(zhuǎn)換場(chǎng)��
  該芯片在�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、無(wú)線充電設(shè)備以及工�(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)域表�(xiàn)出色。憑借其卓越的性能和穩(wěn)定性,PHD96NQ03LT 成為了現(xiàn)代電力電子設(shè)�(jì)的理想選��

參數(shù)

額定電壓�650V
  連續(xù)漏極電流�34A
  �(dǎo)通電阻:3.8mΩ
  柵極電荷�72nC
  反向恢復(fù)電荷:無(wú)
  �(kāi)�(guān)頻率范圍:最高支持至5MHz
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

PHD96NQ03LT 的主要特性包括:
  1. 高效率:得益� GaN 技�(shù),該器件能夠在高頻條件下保持極高的效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)能力:具備較低的�(kāi)�(guān)損耗和極快的開(kāi)�(guān)速度,適合高頻應(yīng)��
  3. 熱性能�(yōu)異:芯片�(shè)�(jì)�(yōu)化了散熱路徑,確保在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
  4. 高可靠性:通過(guò)�(yán)格的�(cè)試和�(yàn)證流�,保證長(zhǎng)期使用的可靠��
  5. 小型化設(shè)�(jì):先�(jìn)的封裝形式有助于減少整體電路板空間占用�
  6. 寬工作溫度范圍:能夠適應(yīng)極端�(huán)境條�,滿足工�(yè)和汽車領(lǐng)域的需��

�(yīng)�

PHD96NQ03LT 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. �(wú)線充電設(shè)�
  4. 太陽(yáng)能逆變�
  5. 電動(dòng)汽車充電�
  6. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)
  7. �(shù)�(jù)中心供電系統(tǒng)
  8. 消費(fèi)類快充適配器

替代型號(hào)

GXT65NQ04LH, BSC038N06NSG

phd96nq03lt推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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