SIHP065N60E-GE3 是一款由 Vishay 推出� N 灃道溝道功率 MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用了先進的制造工藝,具備低導通電�、高效率和出色的熱性能,非常適合用于高頻開關應�。其封裝形式� TO-247-3L,具有較高的電流處理能力和散熱能��
這款 MOSFET 主要應用于開關電�、DC-DC 轉換�、電機驅動器以及逆變器等場景,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)的整體效��
最大漏源電壓:600V
最大連續(xù)漏極電流�18A
最大脈沖漏極電流:90A
導通電阻(典型值)�0.65Ω
柵極電荷�27nC
輸入電容�1680pF
工作結溫范圍�-55� � +175�
SIHP065N60E-GE3 具有以下顯著特點�
1. 高耐壓能力:額定漏源電壓為�(huán)境下的電路設��
2. 低導通電阻:典型值僅� 0.65Ω,可顯著減少導通損��
3. 快速開關性能:低柵極電荷和輸入電容確保了更快的開關速度,從而提高了系統(tǒng)效率�
4. 良好的熱�(wěn)定性:能夠� -55� � +175� 的寬溫度范圍內穩(wěn)定運��
5. 可靠性高:經過嚴格的質量控制流程,保證在各種工況下的長期可靠性�
6. 散熱性能�(yōu)越:TO-247-3L 封裝提供了良好的散熱路徑,適合大功率應用�
SIHP065N60E-GE3 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS�
2. DC-DC 轉換�
3. 電機驅動與控�
4. 工業(yè)逆變�
5. 太陽能逆變�
6. 不間斷電源(UPS�
7. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制
其高耐壓和低損耗特性使其成為許多高�、高效應用的理想選擇�
SIHP140N60E-GE3
IRFP460
FDP18N60