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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > SIHP065N60E-GE3

SIHP065N60E-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/16 11:56:49 查看 閱讀�18

SIHP065N60E-GE3 是一款由 Vishay 推出� N 灃道溝道功率 MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用了先進的制造工藝,具備低導通電�、高效率和出色的熱性能,非常適合用于高頻開關應�。其封裝形式� TO-247-3L,具有較高的電流處理能力和散熱能��
  這款 MOSFET 主要應用于開關電�、DC-DC 轉換�、電機驅動器以及逆變器等場景,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)的整體效��

參數

最大漏源電壓:600V
  最大連續(xù)漏極電流�18A
  最大脈沖漏極電流:90A
  導通電阻(典型值)�0.65Ω
  柵極電荷�27nC
  輸入電容�1680pF
  工作結溫范圍�-55� � +175�

特�

SIHP065N60E-GE3 具有以下顯著特點�
  1. 高耐壓能力:額定漏源電壓為�(huán)境下的電路設��
  2. 低導通電阻:典型值僅� 0.65Ω,可顯著減少導通損��
  3. 快速開關性能:低柵極電荷和輸入電容確保了更快的開關速度,從而提高了系統(tǒng)效率�
  4. 良好的熱�(wěn)定性:能夠� -55� � +175� 的寬溫度范圍內穩(wěn)定運��
  5. 可靠性高:經過嚴格的質量控制流程,保證在各種工況下的長期可靠性�
  6. 散熱性能�(yōu)越:TO-247-3L 封裝提供了良好的散熱路徑,適合大功率應用�

應用

SIHP065N60E-GE3 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS�
  2. DC-DC 轉換�
  3. 電機驅動與控�
  4. 工業(yè)逆變�
  5. 太陽能逆變�
  6. 不間斷電源(UPS�
  7. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制
  其高耐壓和低損耗特性使其成為許多高�、高效應用的理想選擇�

替代型號

SIHP140N60E-GE3
  IRFP460
  FDP18N60

sihp065n60e-ge3推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

sihp065n60e-ge3參數

  • 現有數量2現貨
  • 價格1 : �57.72000管件
  • 系列E
  • 包裝管件
  • 產品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�600 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)40A(Tc�
  • 驅動電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)65 毫歐 @ 16A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)98 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)2700 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)250W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 供應商器件封�TO-220AB
  • 封裝/外殼TO-220-3