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SIHK075N60EF-T1GE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 14:50:27 查看 閱讀�20

SIHK075N60EF-T1GE3 是一款由 Semikron 推出的高� N 溝道 MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于工業(yè)控制、電�(jī)�(qū)動和高功率電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)頻率,能夠在高壓條件下提供卓越的性能�
  這款 MOSFET 的額定電壓為 600V,適用于多種高電壓應(yīng)用場�,例如變頻器、太陽能逆變器以� UPS 系統(tǒng)�。其�(yōu)化的�(shè)�(jì)使其具備出色的熱性能和可靠�,適合長時間連續(xù)�(yùn)行的高要求環(huán)��

參數(shù)

額定電壓�600V
  最大漏源電流:82A
  �(dǎo)通電阻:75mΩ
  柵極電荷�140nC
  輸入電容�3220pF
  總功耗:200W
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

SIHK075N60EF-T1GE3 具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 高耐壓能力,能夠承受高�(dá) 600V 的漏源電�,保證在高壓系統(tǒng)中的�(wěn)定運(yùn)��
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,僅� 75mΩ,在高電流應(yīng)用中顯著降低傳導(dǎo)損��
  3. 快速開�(guān)性能,得益于較小的柵極電荷和輸出電荷,從而提高效率并減少開關(guān)損��
  4. 寬廣的工作溫度范�,支持從 -55� � +175� 的極端條件,適應(yīng)惡劣的工作環(huán)��
  5. 高可靠性設(shè)�(jì),采� Semikron 的先�(jìn)制造工藝,確保長期使用的穩(wěn)定性與耐用��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛材�,滿足國際環(huán)保法�(guī)的要��

�(yīng)�

SIHK075N60EF-T1GE3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 工業(yè)變頻器和伺服�(qū)動器,用于精確控制電�(jī)速度和扭��
  2. 太陽能逆變�,將直流電高效轉(zhuǎn)換為交流電,以接入電�(wǎng)或本地負(fù)��
  3. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng),提供穩(wěn)定的電力供應(yīng)以保�(hù)�(guān)鍵設(shè)��
  4. 開關(guān)電源(SMPS�,包� AC/DC � DC/DC �(zhuǎn)換器,用于各種電子設(shè)備供��
  5. 電動汽車充電站和其他高功率能源管理系�(tǒng),實(shí)�(xiàn)高效的能量傳輸與管理�

替代型號

SIHH090N60EF-T1GE3, SIHG075N60EF-T1GE3

sihk075n60ef-t1ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

sihk075n60ef-t1ge3參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�26�(xiàn)�
  • 價格1 : �61.13000剪切帶(CT�2,000 : �33.37958卷帶(TR�
  • 系列EF
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�600 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)33A(Tc�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)71毫歐 @ 15A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)72 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)2954 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)192W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�PowerPAK?10 x 12
  • 封裝/外殼8-PowerBSFN