SIHK075N60EF-T1GE3 是一款由 Semikron 推出的高� N 溝道 MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于工業(yè)控制、電�(jī)�(qū)動和高功率電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)頻率,能夠在高壓條件下提供卓越的性能�
這款 MOSFET 的額定電壓為 600V,適用于多種高電壓應(yīng)用場�,例如變頻器、太陽能逆變器以� UPS 系統(tǒng)�。其�(yōu)化的�(shè)�(jì)使其具備出色的熱性能和可靠�,適合長時間連續(xù)�(yùn)行的高要求環(huán)��
額定電壓�600V
最大漏源電流:82A
�(dǎo)通電阻:75mΩ
柵極電荷�140nC
輸入電容�3220pF
總功耗:200W
工作溫度范圍�-55� � +175�
SIHK075N60EF-T1GE3 具有以下�(guān)鍵特性:
1. 高耐壓能力,能夠承受高�(dá) 600V 的漏源電�,保證在高壓系統(tǒng)中的�(wěn)定運(yùn)��
2. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,僅� 75mΩ,在高電流應(yīng)用中顯著降低傳導(dǎo)損��
3. 快速開�(guān)性能,得益于較小的柵極電荷和輸出電荷,從而提高效率并減少開關(guān)損��
4. 寬廣的工作溫度范�,支持從 -55� � +175� 的極端條件,適應(yīng)惡劣的工作環(huán)��
5. 高可靠性設(shè)�(jì),采� Semikron 的先�(jìn)制造工藝,確保長期使用的穩(wěn)定性與耐用��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛材�,滿足國際環(huán)保法�(guī)的要��
SIHK075N60EF-T1GE3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 工業(yè)變頻器和伺服�(qū)動器,用于精確控制電�(jī)速度和扭��
2. 太陽能逆變�,將直流電高效轉(zhuǎn)換為交流電,以接入電�(wǎng)或本地負(fù)��
3. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng),提供穩(wěn)定的電力供應(yīng)以保�(hù)�(guān)鍵設(shè)��
4. 開關(guān)電源(SMPS�,包� AC/DC � DC/DC �(zhuǎn)換器,用于各種電子設(shè)備供��
5. 電動汽車充電站和其他高功率能源管理系�(tǒng),實(shí)�(xiàn)高效的能量傳輸與管理�
SIHH090N60EF-T1GE3, SIHG075N60EF-T1GE3