SiHF640S是一款基于硅材料的高頻功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),專為高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和快速的�(kāi)�(guān)速度,適用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器等高效率電力電子系�(tǒng)�
SiHF640S能夠在高頻條件下保持高效的能量轉(zhuǎn)�,并具備良好的熱�(wěn)定性和可靠�,是�(xiàn)代電力電子設(shè)備中的關(guān)鍵元件�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�40A
�(dǎo)通電阻:0.035Ω
柵極電荷�120nC
反向恢復(fù)�(shí)間:90ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
1. 高頻性能:由于其低柵極電荷和快速開(kāi)�(guān)速度,SiHF640S非常適合高頻�(yīng)用環(huán)�,能夠顯著降低開(kāi)�(guān)損��
2. 低導(dǎo)通電阻:0.035Ω的導(dǎo)通電阻使其在大電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色,降低了傳導(dǎo)損��
3. 良好的熱性能:優(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)和芯片結(jié)�(gòu)提高了散熱能�,確保在高溫�(huán)境下仍能可靠�(yùn)��
4. 高可靠性:�(jīng)�(guò)�(yán)格的�(zhì)量控制和�(cè)試流程,SiHF640S能夠在惡劣的工作條件下長(zhǎng)�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��
5. 快速反向恢�(fù)�90ns的反向恢�(fù)�(shí)間使得該器件在高頻PWM�(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)�,有效減少開(kāi)�(guān)損耗和電磁干擾�
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):
SiHF640S的高頻特性和高效率使其成為開(kāi)�(guān)電源的理想選��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器�
在各類DC-DC�(zhuǎn)換器中,該器件可提供高效的能量轉(zhuǎn)換和�(wěn)定的輸出�
3. 逆變器:
適合用于光伏逆變�、電�(jī)�(qū)�(dòng)逆變器等�(yīng)用,提供高效可靠的功率轉(zhuǎn)��
4. PFC電路�
在功率因�(shù)校正電路中,SiHF640S能夠提高系統(tǒng)的整體效率并減少能量損失�
SiHF650S, IRFP460, STP40NF06