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SIG25N60P 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 15:51:42 查看 閱讀�18

SIG25N60P是一款由Simgui(芯冠科技)推出的增強(qiáng)型N溝道� Carbide MOSFET。該器件采用先�(jìn)的碳化硅(SiC)技�(shù)制造,具有高擊穿電�、低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性。這些特點使其非常適合用于高頻開關(guān)�(yīng)�,如電源�(zhuǎn)換器、逆變�、電�(jī)�(qū)動和太陽能逆變器等場景�
  相比傳統(tǒng)的硅基MOSFET,SIG25N60P的碳化硅材料允許其在更高的溫度和電壓下工作,同時提供更小的能量損�,這使得它成為�(xiàn)代高效能功率電子�(shè)備的理想選擇�

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�25A
  �(dǎo)通電阻:7mΩ
  柵極電荷�90nC
  總電容:35pF
  最大功耗:300W
  工作�(jié)溫范圍:-55� to +175�

特�

SIG25N60P采用了碳化硅技�(shù),具有以下主要特性:
  1. 高耐壓能力:其600V的最大漏源電壓使它適用于高壓�(huán)境下的應(yīng)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:�7mΩ的導(dǎo)通電阻能夠有效減少導(dǎo)通時的能耗,提升系統(tǒng)效率�
  3. 快速開�(guān)性能:得益于其極低的柵極電荷和輸出電荷,開關(guān)頻率可以�(dá)到很高的水平,適合高頻應(yīng)用場��
  4. 高溫�(wěn)定性:能夠在最�175℃的�(jié)溫下�(wěn)定運(yùn)行,適應(yīng)各種惡劣的工作條��
  5. 小體積與輕量化:由于其高效的熱管理和高功率密度設(shè)�,使用SIG25N60P的系�(tǒng)可以實現(xiàn)更緊湊的�(shè)計�

�(yīng)�

SIG25N60P廣泛�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和高頻開關(guān)的場合,包括但不限于�
  1. 工業(yè)電源:如不間斷電源(UPS�、開�(guān)模式電源(SMPS)等�
  2. 新能源領(lǐng)域:太陽能逆變�、風(fēng)力發(fā)電轉(zhuǎn)換系�(tǒng)�
  3. 電動車輛:電動汽車的車載充電�、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器等�
  4. 電機(jī)�(qū)動:工業(yè)電機(jī)�(qū)動器、伺服控制器�
  5. 充電器:快速充電器及大功率充電�(shè)��

替代型號

C2M0250120D, SCS2560K

sig25n60p推薦供應(yīng)� 更多>

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