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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IPD034N06N3 G

IPD034N06N3 G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 9:52:07 查看 閱讀�5

IPD034N06N3 G 是一� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�。該器件具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,適用于各種高效能的電源管理�(yīng)�。其額定電壓� 60V,適合中低壓�(yīng)用場(chǎng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)和電�(jī)�(qū)�(dòng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�48A
  �(dǎo)通電阻:2.9mΩ(典型�,@ Vgs=10V�
  柵極電荷�25nC(典型值)
  開關(guān)頻率:最高支持至 1MHz
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-263 (D2PAK)

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)能力,能夠滿足高頻應(yīng)用需求�
  3. 高雪崩能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的可靠��
  4. 熱穩(wěn)定性優(yōu)�,能夠在高溫�(huán)境下持續(xù)�(wěn)定運(yùn)��
  5. 小型封裝�(shè)�(jì),便� PCB 布局和散熱處��

�(yīng)�

1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)
  6. 汽車電子�(lǐng)域中的電源管�

替代型號(hào)

IPD034N06N3L G, IRFZ44N, FDP034N06L

ipd034n06n3 g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ipd034n06n3 g參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPD034N06N3 G
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C100A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.4 毫歐 @ 100A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 93µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs130nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds11000pF @ 30V
  • 功率 - 最�167W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO252-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IPD034N06N3 G-NDSP000451070