IPD034N06N3 G 是一� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�。該器件具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,適用于各種高效能的電源管理�(yīng)�。其額定電壓� 60V,適合中低壓�(yīng)用場(chǎng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)和電�(jī)�(qū)�(dòng)��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�48A
�(dǎo)通電阻:2.9mΩ(典型�,@ Vgs=10V�
柵極電荷�25nC(典型值)
開關(guān)頻率:最高支持至 1MHz
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-263 (D2PAK)
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)能力,能夠滿足高頻應(yīng)用需求�
3. 高雪崩能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的可靠��
4. 熱穩(wěn)定性優(yōu)�,能夠在高溫�(huán)境下持續(xù)�(wěn)定運(yùn)��
5. 小型封裝�(shè)�(jì),便� PCB 布局和散熱處��
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)
6. 汽車電子�(lǐng)域中的電源管�
IPD034N06N3L G, IRFZ44N, FDP034N06L