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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SIC638ACD-T1-GE3

SIC638ACD-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/3 10:14:27 查看 閱讀�39

SIC638ACD-T1-GE3 是一款由 Wolfspeed(原 Cree)生�(chǎn)的碳化硅(SiC)功� MOSFET 芯片。該器件采用 TO-247 封裝,具有出色的開關(guān)性能和低�(dǎo)通電阻特性,適用于高效率、高頻工作的電源�(zhuǎn)換器和逆變器等�(yīng)�。得益于碳化硅材料的�(yōu)異性能,這款芯片能夠在高溫環(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)�,并顯著降低能量損��
  該型�(hào)是專為工�(yè)和汽車級(jí)�(yīng)用設(shè)�(jì)�,具有增�(qiáng)的耐用性和可靠性�

參數(shù)

最大漏源電壓:1200V
  連續(xù)漏極電流�40A
  �(dǎo)通電阻:7mΩ
  柵極電荷�150nC
  開關(guān)頻率:高�(dá) 1MHz
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�

特�

1. 高擊穿電壓:1200V 的額定電壓使得該器件適合高壓�(yīng)用環(huán)��
  2. 極低的導(dǎo)通電阻:僅為 7mΩ,可有效降低傳導(dǎo)損��
  3. 快速開�(guān)能力:由于其較小的柵極電�,能�?qū)崿F(xiàn)更高的開�(guān)速度,從而提高系�(tǒng)效率�
  4. 高溫操作:支持最� 175� 的結(jié)溫,非常適合在惡劣條件下使用�
  5. 減少電磁干擾:優(yōu)化的開關(guān)性能可以降低 EMI 問題�
  6. 增強(qiáng)的熱管理:通過改�(jìn)的封裝設(shè)�(jì),提高了散熱性能�

�(yīng)�

1. 太陽能逆變器:用于 DC-AC �(zhuǎn)�,以提高�(zhuǎn)換效率�
  2. 電動(dòng)汽車充電站:作為核心功率器件,提升充電速度和效��
  3. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng):提供高效且�(wěn)定的電源控制�
  4. 不間斷電源(UPS):確保電力供應(yīng)的可靠性和�(wěn)定性�
  5. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器:實(shí)�(xiàn)更小尺寸的設(shè)�(jì),同�(shí)維持高效��
  6. 牽引逆變器:用于電動(dòng)車和混合�(dòng)力車中的�(dòng)力系�(tǒng)控制�

替代型號(hào)

SIC638ADP-T1-GE3, C2M0075120D, FGH15N120SMD

sic638acd-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

sic638acd-t1-ge3參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�2,674�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �22.42000剪切帶(CT�3,000 : �11.84233卷帶(TR�
  • 系列VRPower?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 輸出配置半橋�2�
  • �(yīng)�同步降壓�(zhuǎn)換器
  • 接口PWM
  • �(fù)載類�電感,電容�
  • 技�(shù)功率 MOSFET
  • �(dǎo)通電阻(典型值)-
  • 電流 - 輸出/通道50A
  • 電流 - 峰值輸�-
  • 電壓 - 供電4.5V ~ 5.5V
  • 電壓 - �(fù)�4.5V ~ 5.5V
  • 工作溫度-40°C ~ 125°C(TA�
  • 特�自舉電路,二極管仿真,狀�(tài)�(biāo)�
  • 故障保護(hù)擊穿,UVLO
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼PowerPAK? MLP55-31L
  • 供應(yīng)商器件封�PowerPAK? MLP55-31L