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SIA922EDJ-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/29 21:51:06 查看 閱讀：10

SIA922EDJ-T1-GE3是一款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的高效功率晶體管，屬于安森美（onsemi）推出的SemiGaN系列。該器件采用常關(guān)型設(shè)計(jì)，支持高頻開(kāi)關(guān)操作，廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、工業(yè)驅(qū)動(dòng)和通信基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域。其高電子遷移率晶體管（HEMT）結(jié)構(gòu)確保了卓越的效率與可靠性。

參數(shù)

最大漏源電壓：650V
　　連續(xù)漏極電流：14A
　　導(dǎo)通電阻：170mΩ
　　柵極電荷：80nC
　　開(kāi)關(guān)頻率：超過(guò)2MHz
　　封裝形式：TO-247-4L

特性

SIA922EDJ-T1-GE3采用了增強(qiáng)型氮化鎵技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)，可顯著降低開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗。
　　該器件內(nèi)置ESD保護(hù)電路，提升了系統(tǒng)級(jí)的魯棒性。
　　此外，它具備較低的寄生電感和優(yōu)化的熱性能，使其非常適合高密度功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
　　其常關(guān)型設(shè)計(jì)也增強(qiáng)了使用中的安全性，簡(jiǎn)化了驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)流程。

應(yīng)用

該芯片適用于多種高頻高效的電力電子應(yīng)用場(chǎng)景，包括但不限于：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
　　3. 圖騰柱PFC電路
　　4. 光伏逆變器
　　5. 電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器（OBC）
　　6. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)

替代型號(hào)

SIA922BDJ-T1-GE3
　　SIA922CDJ-T1-GE3

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sia922edj-t1-ge3參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格停產(chǎn)
  • 系列TrenchFET?
  • 包裝卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)停產(chǎn)
  • 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
  • 配置2 N-通道（雙）
  • FET 功能邏輯電平門(mén)
  • 漏源電壓（Vdss）30V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)4.5A
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）64 毫歐 @ 3A，4.5V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）1.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）12nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）-
  • 功率 - 最大值7.8W
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝型
  • 封裝/外殼PowerPAK? SC-70-6 雙
  • 供應(yīng)商器件封裝PowerPAK? SC-70-6 雙