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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI9926BDY-T1-E3

SI9926BDY-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 14:31:43 查看 閱讀�8

SI9926BDY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET 芯片,主要用于高效能�(kāi)�(guān)和功率管理應(yīng)�。該芯片具有低導(dǎo)通電�、快速開(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能,非常適合需要高效率和高可靠性的電路�(shè)�(jì)。其封裝形式� TSSOP-6(Thin Shrink Small Outline Package�,有助于節(jié)� PCB 空間并提升散熱性能�
  該器件的工作電壓范圍較廣,能夠承受較高的漏源電壓,并具備較低的柵極電荷特�,使得其在高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�5.8A
  �(dǎo)通電阻:45mΩ
  柵極電荷�10nC
  總電容:220pF
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))保證了更小的傳�(dǎo)損�,提高了系統(tǒng)效率�
  2. 高速開(kāi)�(guān)能力使其適用于高� DC-DC �(zhuǎn)換器和其他開(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)應(yīng)��
  3. 支持寬范圍的工作溫度,增�(qiáng)了其在惡劣環(huán)境下的可靠��
  4. 小型化封裝設(shè)�(jì)(TSSOP-6)不僅節(jié)約空�,還改善了散熱性能�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子設(shè)備制造需��

�(yīng)�

1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率開(kāi)�(guān)元件�
  2. 用于電機(jī)�(qū)�(dòng)器中的高速切換控制�
  3. LED �(qū)�(dòng)器中的負(fù)載開(kāi)�(guān)�
  4. 各類工業(yè)控制和汽車電子系�(tǒng)的功率管理模塊�
  5. 電池保護(hù)電路以及�(fù)載均衡電路中的關(guān)鍵組��

替代型號(hào)

SI9927DY, IRF7407, FDMC880P

si9926bdy-t1-e3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si9926bdy-t1-e3資料 更多>

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si9926bdy-t1-e3�(chǎn)�

si9926bdy-t1-e3參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表SI9926BDY
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列TrenchFET®
  • FET �2 �(gè) N 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6.2A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫歐 @ 8.2A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs20nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�1.14W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI9926BDY-T1-E3TR