SI9806DY-T1-E3是Vishay Siliconix推出的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET功率晶體�。該器件采用TrenchFET Gen III技�(shù),具有較低的�(dǎo)通電阻和出色的開�(guān)性能,適用于高頻、高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。其小型化的封裝形式(TSOP6)使其非常適合空間受限的�(shè)�(jì)�(chǎng)��
最大漏源電壓:30V
最大連續(xù)漏極電流�2.7A
最大柵極驅(qū)�(dòng)電壓:�20V
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,Vgs=10V�(shí)�
總柵極電荷:8nC
輸入電容�980pF
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
SI9806DY-T1-E3采用了先�(jìn)的TrenchFET工藝,具備以下特�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少傳�(dǎo)損�,提高整體效��
2. 高速開�(guān)能力,適合高頻DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)電源以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用�
3. 良好的熱�(wěn)定�,能夠確保在極端�(huán)境下的可靠運(yùn)行�
4. 小型TSOP6封裝,節(jié)省PCB空間,簡(jiǎn)化設(shè)�(jì)布局�
5. 提供�(yōu)異的電氣性能與可靠�,適用于消費(fèi)電子、工�(yè)�(shè)備及通信系統(tǒng)等領(lǐng)��
SI9806DY-T1-E3廣泛�(yīng)用于多種功率管理�(chǎng)景,包括但不限于�
1. 筆記本電腦和平板電腦中的DC-DC�(zhuǎn)換器�
2. 用于服務(wù)器和通信�(shè)備的�(fù)載點(diǎn)�(diào)節(jié)模塊�
3. 各類便攜式電子產(chǎn)品的電源管理單元�
4. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流電��
5. 汽車電子系統(tǒng)中的電池管理與電�(jī)控制�
6. 高效能電�(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器設(shè)�(jì)�
SI9806AL-T1-E3
SIH55N30E-D
IRLZ44N