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SURS8205T3G 發(fā)布時間 時間�2025/4/27 12:29:07 查看 閱讀�26

SURS8205T3G 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)芯片,專為開關應用設�。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電阻和快速開關特性,適用于多種功率轉換場�。它廣泛用于電源管理、電機驅動以及負載切換等領域�
  該型號屬� N 溝道增強� MOSFET,通過�(yōu)化的結構設計,實�(xiàn)了更高效的功率傳輸和更低的能量損��

參數(shù)

類型:N溝道增強型MOSFET
  最大漏源電�(V_DS)�60V
  最大柵源電�(V_GS):�20V
  最大漏極電�(I_D)�14A
  導通電�(R_DS(on))�4.5mΩ(在 V_GS=10V 時)
  總功�(P_TOT)�27W
  結溫范圍(T_J)�-55� � +175�
  封裝形式:TO-263-3

特�

SURS8205T3G 的主要特性包括以下幾點:
  1. 極低的導通電� R_DS(on),可顯著降低傳導損耗并提高效率�
  2. 快速開關速度,有助于減少開關損�,特別適合高頻應��
  3. 高擊穿電�,確保在高電壓環(huán)境下�(wěn)定運行�
  4. 良好的熱性能,能夠承受較高的結溫范圍,提升系�(tǒng)的可靠��
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)要求�
  6. 內置 ESD 保護,增強器件的抗靜電能��

應用

SURS8205T3G 適用于多種電力電子領域,包括但不限于�
  1. 開關電源(SMPS)中的主開關或同步整流��
  2. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負載切換控制�
  3. 電機驅動電路中的功率級元��
  4. DC/DC 轉換器及逆變器中的關鍵功率器件�
  5. 各類工業(yè)設備中的功率調節(jié)與保護電��
  6. 充電�、適配器及其他便攜式電子設備中的功率開關�

替代型號

SURS8205T3L, STP14NM60E, IRF640N

surs8205t3g推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

surs8205t3g參數(shù)

  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭單二極管/整流�
  • 系列-
  • 二極管類�標準
  • 電壓 - (Vr)(最大)50V
  • 電流 - 平均整流 (Io)2A
  • 電壓 - � If 時為正向 (Vf)(最大)940mV @ 2A
  • 速度快速恢� = 200mA(Io�
  • 反向恢復時間(trr)30ns
  • 電流 - � Vr 時反向漏�2µA @ 50V
  • 電容@ Vr, F-
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼DO-214AA,SMB
  • 供應商設備封�SMB
  • 包裝帶卷 (TR)