SURS8205T3G 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)芯片,專為開關應用設�。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電阻和快速開關特性,適用于多種功率轉換場�。它廣泛用于電源管理、電機驅動以及負載切換等領域�
該型號屬� N 溝道增強� MOSFET,通過�(yōu)化的結構設計,實�(xiàn)了更高效的功率傳輸和更低的能量損��
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電�(V_DS)�60V
最大柵源電�(V_GS):�20V
最大漏極電�(I_D)�14A
導通電�(R_DS(on))�4.5mΩ(在 V_GS=10V 時)
總功�(P_TOT)�27W
結溫范圍(T_J)�-55� � +175�
封裝形式:TO-263-3
SURS8205T3G 的主要特性包括以下幾點:
1. 極低的導通電� R_DS(on),可顯著降低傳導損耗并提高效率�
2. 快速開關速度,有助于減少開關損�,特別適合高頻應��
3. 高擊穿電�,確保在高電壓環(huán)境下�(wěn)定運行�
4. 良好的熱性能,能夠承受較高的結溫范圍,提升系�(tǒng)的可靠��
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)要求�
6. 內置 ESD 保護,增強器件的抗靜電能��
SURS8205T3G 適用于多種電力電子領域,包括但不限于�
1. 開關電源(SMPS)中的主開關或同步整流��
2. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負載切換控制�
3. 電機驅動電路中的功率級元��
4. DC/DC 轉換器及逆變器中的關鍵功率器件�
5. 各類工業(yè)設備中的功率調節(jié)與保護電��
6. 充電�、適配器及其他便攜式電子設備中的功率開關�
SURS8205T3L, STP14NM60E, IRF640N