SI7956DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,采� TrenchFET Gen III 技�(shù)制�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,適合應(yīng)用于高效能的電源管理場景,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)�。其封裝形式為小尺寸� TSOT23-6,非常適合空間受限的�(shè)�(jì)�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�4.8A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):5mΩ
柵極電荷�9nC
開關(guān)速度:快�
工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�
封裝:TSOT23-6
SI7956DP-T1-GE3 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速的開關(guān)性能,支持高頻應(yīng)��
3. 小巧� TSOT23-6 封裝�(shè)�(jì),節(jié)� PCB 空間�
4. 高度可靠� Vishay TrenchFET 第三代技�(shù),提供出色的熱特性和電氣性能�
5. 寬泛的工作溫度范� (-55� � +150�),確保在惡劣�(huán)境下的穩(wěn)定��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)要求�
SI7956DP-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(jí)開關(guān)�
2. 各種消費(fèi)類電子設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和電池管理系�(tǒng)的功率控��
4. 電信和數(shù)�(jù)通信�(shè)備中的電源模��
5. 固態(tài)繼電器和其他需要高效功率切換的�(yīng)用場��
SI7450DP, SI4461DY, FDN337N