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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI7956DP-T1-GE3

SI7956DP-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/23 0:10:29 查看 閱讀�16

SI7956DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,采� TrenchFET Gen III 技�(shù)制�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,適合應(yīng)用于高效能的電源管理場景,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)�。其封裝形式為小尺寸� TSOT23-6,非常適合空間受限的�(shè)�(jì)�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�4.8A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):5mΩ
  柵極電荷�9nC
  開關(guān)速度:快�
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�
  封裝:TSOT23-6

特�

SI7956DP-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速的開關(guān)性能,支持高頻應(yīng)��
  3. 小巧� TSOT23-6 封裝�(shè)�(jì),節(jié)� PCB 空間�
  4. 高度可靠� Vishay TrenchFET 第三代技�(shù),提供出色的熱特性和電氣性能�
  5. 寬泛的工作溫度范� (-55� � +150�),確保在惡劣�(huán)境下的穩(wěn)定��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)要求�

�(yīng)�

SI7956DP-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(jí)開關(guān)�
  2. 各種消費(fèi)類電子設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和電池管理系�(tǒng)的功率控��
  4. 電信和數(shù)�(jù)通信�(shè)備中的電源模��
  5. 固態(tài)繼電器和其他需要高效功率切換的�(yīng)用場��

替代型號(hào)

SI7450DP, SI4461DY, FDN337N

si7956dp-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si7956dp-t1-ge3資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

si7956dp-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列TrenchFET®
  • FET �2 �(gè) N 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)150V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.6A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C105 毫歐 @ 4.1A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs26nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�1.4W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8 �
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PowerPAK? SO-8 Dual
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI7956DP-T1-GE3TR