QS1B02RAE是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)用。該芯片采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高擊穿電壓和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效提升系�(tǒng)的效率和可靠性�
這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器�,適用于要求高效能和低損耗的�(chǎng)景。其出色的熱性能和電氣性能使其在工�(yè)控制、消�(fèi)電子以及汽車電子�(lǐng)域得到了廣泛�(yīng)��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�24A
�(dǎo)通電阻:2.5mΩ
柵極電荷�38nC
開關(guān)�(shí)間:ton=15ns, toff=12ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損�,提高整體效率�
2. 快速開�(guān)速度,支持高頻操�,適合現(xiàn)代電力電子設(shè)備的需��
3. 高擊穿電壓設(shè)�(jì)增強(qiáng)了器件的魯棒�,能夠在�(yán)苛環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
4. 小型化的封裝選項(xiàng)降低了PCB占用空間,簡(jiǎn)化了系統(tǒng)�(shè)�(jì)�
5. 出色的熱�(wěn)定性確保了�(zhǎng)期使用中的可靠性和一致��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
4. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管�
6. 太陽(yáng)能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)中的功率�(jí)開關(guān)
IRF3205
FDP5500
STP18NM50