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QS1B02RAE 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 10:44:12 查看 閱讀�33

QS1B02RAE是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)用。該芯片采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高擊穿電壓和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效提升系�(tǒng)的效率和可靠性�
  這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器�,適用于要求高效能和低損耗的�(chǎng)景。其出色的熱性能和電氣性能使其在工�(yè)控制、消�(fèi)電子以及汽車電子�(lǐng)域得到了廣泛�(yīng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�24A
  �(dǎo)通電阻:2.5mΩ
  柵極電荷�38nC
  開關(guān)�(shí)間:ton=15ns, toff=12ns
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損�,提高整體效率�
  2. 快速開�(guān)速度,支持高頻操�,適合現(xiàn)代電力電子設(shè)備的需��
  3. 高擊穿電壓設(shè)�(jì)增強(qiáng)了器件的魯棒�,能夠在�(yán)苛環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  4. 小型化的封裝選項(xiàng)降低了PCB占用空間,簡(jiǎn)化了系統(tǒng)�(shè)�(jì)�
  5. 出色的熱�(wěn)定性確保了�(zhǎng)期使用中的可靠性和一致��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�

�(yīng)�

1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管�
  6. 太陽(yáng)能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)中的功率�(jí)開關(guān)

替代型號(hào)

IRF3205
  FDP5500
  STP18NM50

qs1b02rae推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)