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SI7884DP-T1-GE3 發(fā)布時間 時間:2025/6/9 18:49:25 查看 閱讀:5

SI7884DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 推出的 N 沃特(N-Channel)功率 MOSFET,采用了 TrenchFET Gen III 技術(shù)。這款器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點,非常適合用于高效能電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其封裝形式為小尺寸的 TSOT23-3L 封裝,適合空間受限的設(shè)計場景。
  該器件廣泛應(yīng)用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動以及電池供電設(shè)備等應(yīng)用中,能夠提供出色的性能表現(xiàn)。

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流:4.2A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 下)
  柵極電荷:6nC(典型值)
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +150℃
  總功耗:0.8W

特性

SI7884DP-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on),可降低傳導(dǎo)損耗并提高效率。
  2. 快速開關(guān)能力,適用于高頻應(yīng)用。
  3. 小型 TSOT23-3L 封裝,節(jié)省 PCB 空間。
  4. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)可靠性。
  5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),綠色環(huán)保。
  6. 具有優(yōu)秀的熱性能,支持高功率密度設(shè)計。
  這些特點使 SI7884DP-T1-GE3 成為各種便攜式電子設(shè)備的理想選擇。

應(yīng)用

該功率 MOSFET 器件的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛,具體包括:
  1. 各類 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流功能。
  2. 負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路設(shè)計。
  3. 電池供電設(shè)備中的電源管理。
  4. 消費類電子產(chǎn)品中的馬達(dá)驅(qū)動控制。
  5. 工業(yè)級應(yīng)用如 LED 照明驅(qū)動及小型化逆變器。
  6. 可穿戴設(shè)備及其他對體積敏感的產(chǎn)品中作為高效開關(guān)元件。

替代型號

SI7890DP, BSS138

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