FV43X681K202ECG 是一款高性能的場效應晶體管(MOSFET�,適用于高頻率和高效率的開關應用。該器件采用了先進的制造工藝,確保了其在多種電力電子系�(tǒng)中的�(wěn)定性和可靠�。它通常用于電源管理、電機驅(qū)動和工業(yè)控制等領��
FV43X681K202ECG 的設計使其能夠承受較高的電壓和電流,同時保持較低的導通電�。這使得該器件在功率轉(zhuǎn)換應用中表現(xiàn)出色,能夠有效減少能量損耗并提高整體系統(tǒng)的效��
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電壓:650V
最大柵源電壓:±20V
最大漏極電流:20A
導通電阻(典型值)�0.06Ω
總功耗:190W
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247
FV43X681K202ECG 具有以下顯著特性:
1. 高耐壓能力,可承受高達650V的漏源電�,適用于高壓�(huán)境�
2. 極低的導通電阻(Rds(on)�,典型值為0.06Ω,有助于降低導通損��
3. 快速開關性能,支持高頻操�,適用于高效功率�(zhuǎn)換電��
4. �(nèi)置反向恢復二極管,提升工作效率的同時減少了電磁干��
5. 良好的熱�(wěn)定性,能夠在極端溫度條件下正常工作�
6. 符合RoHS標準,環(huán)保且可靠�
FV43X681K202ECG 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)和直流-直流�(zhuǎn)換器�
2. 太陽能逆變器和風能�(fā)電系�(tǒng)�
3. 工業(yè)電機�(qū)動和伺服控制�
4. 電動車(EV)和混合動力車(HEV)的電控單元�
5. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)�
6. LED照明�(qū)動電路�
該器件因其出色的電氣特性和可靠�,成為許多高要求應用場景的理想選擇�
FV43X681K202ECA, IRFP460, STP20NM65E