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SI7469DP-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/24 17:20:29 查看 閱讀：11

SI7469DP-T1-GE3是Vishay Siliconix公司生產(chǎn)的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。該器件采用TrenchFET Gen III技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)。其封裝形式為DFN8（2mm x 3mm），非常適合用于便攜式設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)、同步整流器以及DC/DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。

參數(shù)

最大漏源電壓：30V
　　最大柵源電壓：±8V
　　連續(xù)漏極電流：5.7A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：1.2mΩ（典型值，在Vgs=10V時(shí)）
　　總柵極電荷：8nC
　　輸入電容：980pF
　　工作結(jié)溫范圍：-55°C至+150°C

特性

SI7469DP-T1-GE3采用了先進(jìn)的TrenchFET Gen III技術(shù)，使其具備非常低的導(dǎo)通電阻，從而顯著降低了傳導(dǎo)損耗。此外，該器件還具有出色的開(kāi)關(guān)性能，能夠滿足高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用的需求。
　　其小型化的DFN8封裝不僅節(jié)省了電路板空間，而且增強(qiáng)了散熱性能。這使得SI7469DP-T1-GE3成為各種功率管理應(yīng)用的理想選擇。
　　另外，該器件符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，并且支持無(wú)鉛焊接工藝。

應(yīng)用

該MOSFET適用于多種電力電子領(lǐng)域，包括但不限于：
　　1. 便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)
　　2. 同步整流電路
　　3. DC/DC轉(zhuǎn)換器中的開(kāi)關(guān)元件
　　4. 電池管理系統(tǒng)
　　5. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路
　　6. 通信設(shè)備中的電源模塊

替代型號(hào)

SI7473DP, Si533DS

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si7469dp-t1-ge3參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類(lèi)別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)80V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C28A
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C25 毫歐 @ 10.2A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs160nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds4700pF @ 40V
  • 功率 - 最大83W
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PowerPAK? SO-8
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI7469DP-T1-GE3TR