SI7217-B-01-IV是Vishay Siliconix公司推出的一款N溝道MOSFET功率晶體管。該器件采用TrenchFET Gen III技術(shù)制造,具有極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可顯著降低傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率。它主要適用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制以及通信設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電池管理等應(yīng)用。
這款MOSFET采用了微型的 Vishay TSOP686B-4 (WLCSP) 封裝,能夠滿足空間受限設(shè)計(jì)的需求,同時(shí)提供出色的電氣性能和熱特性。
最大漏源電壓(Vds):30V
最大柵源電壓(Vgs):±8V
連續(xù)漏極電流(Id):9.4A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ
柵極電荷(Qg):12nC
輸入電容(Ciss):860pF
總功耗(Ptot):1.1W
工作溫度范圍(Ta):-55°C 至 +175°C
封裝類型:TSOP686B-4 (WLCSP)
SI7217-B-01-IV具備非常低的導(dǎo)通電阻,僅為1.5mΩ,這使得其在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,能夠有效減少能量損耗并提高整體效率。
其采用的TrenchFET Gen III技術(shù)帶來(lái)了卓越的開(kāi)關(guān)性能,同時(shí)優(yōu)化了芯片尺寸與散熱能力。
由于其小體積的TSOP686B-4 (WLCSP)封裝形式,該器件非常適合用于便攜式設(shè)備和其他對(duì)PCB空間有嚴(yán)格要求的設(shè)計(jì)。
此外,該器件支持較寬的工作溫度范圍(-55°C至+175°C),保證了在極端環(huán)境條件下的可靠運(yùn)行。
SI7217-B-01-IV廣泛應(yīng)用于各種需要高效能功率開(kāi)關(guān)的場(chǎng)合,包括但不限于:
1. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開(kāi)關(guān)和電源管理。
2. 工業(yè)自動(dòng)化和控制系統(tǒng)中的信號(hào)調(diào)節(jié)與驅(qū)動(dòng)電路。
3. 通信基礎(chǔ)設(shè)施中的電源轉(zhuǎn)換模塊和備用電池管理系統(tǒng)。
4. 筆記本電腦和平板電腦等便攜式設(shè)備的充電電路和電池保護(hù)。
5. 高效DC-DC轉(zhuǎn)換器和POL(點(diǎn)負(fù)載)轉(zhuǎn)換器。
SI7146DP, SI4425DY, FDN337AN