D5PE740M0P 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,采用小� DFN5x6-8L 封裝。這種器件具有極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 和高效率的特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于需要高效能和小尺寸�(shè)�(jì)的電路中�
該芯片適用于消費(fèi)類電子產(chǎn)�、工�(yè)�(shè)備以及通信系統(tǒng)中的電源管理部分。通過�(yōu)化的制造工�,此功率 MOSFET 能夠在高頻開�(guān)�(yīng)用中提供卓越的性能�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±12V
連續(xù)漏極電流�2.9A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.8mΩ
總功耗:1.8W
工作溫度范圍�-55� � 150�
封裝類型:DFN5x6-8L
D5PE740M0P3NZ-Z 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),能夠減少功率損耗并提升整體效率�
2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)��
3. 較小的熱阻,有助于提高散熱性能�
4. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)省印刷電路板空間�
5. 提供了良好的電磁兼容� (EMC) 性能�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
該元器件常用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
3. 電池保護(hù)電路�
4. 固態(tài)繼電器�
5. 電機(jī)�(qū)動和�(fù)載切��
6. 各種便攜式電子設(shè)備中的電源管理模��
DMP2002UFG-7, Si7446DN, FDS8947